Περιγραφή
Επικάλυψη CVD-SiCέχει τα χαρακτηριστικά της ομοιόμορφης δομής, του συμπαγούς υλικού, της αντοχής σε υψηλή θερμοκρασία, της αντοχής στην οξείδωση, της υψηλής καθαρότητας, της αντίστασης στα οξέα και στα αλκάλια και του οργανικού αντιδραστηρίου, με σταθερές φυσικές και χημικές ιδιότητες.
Σε σύγκριση με υλικά γραφίτη υψηλής καθαρότητας, ο γραφίτης αρχίζει να οξειδώνεται στους 400C, γεγονός που θα προκαλέσει απώλεια σκόνης λόγω οξείδωσης, με αποτέλεσμα τη μόλυνση του περιβάλλοντος σε περιφερειακές συσκευές και τους θαλάμους κενού και αυξάνοντας τις ακαθαρσίες περιβάλλοντος υψηλής καθαρότητας.
Ωστόσο,Επικάλυψη SiCμπορεί να διατηρήσει φυσική και χημική σταθερότητα στους 1600 μοίρες, Χρησιμοποιείται ευρέως στη σύγχρονη βιομηχανία, ειδικά στη βιομηχανία ημιαγωγών.
Κύρια Χαρακτηριστικά
1. Γραφίτης με επίστρωση SiC υψηλής καθαρότητας
2. Ανώτερη αντοχή στη θερμότητα & θερμική ομοιομορφία
3. ΩραίαΕπικαλυμμένο με κρύσταλλο SiCγια λεία επιφάνεια
4. Υψηλή αντοχή έναντι του χημικού καθαρισμού
Βασικές προδιαγραφές των επιστρώσεων CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Πυκνότητα | (g/cc) | 3.21 |
| Αντοχή σε κάμψη | (Mpa) | 470 |
| Θερμική διαστολή | (10-6/K) | 4 |
| Θερμική αγωγιμότητα | (W/mK) | 300 |
Συσκευασία και αποστολή
Δυνατότητα προμήθειας:
10000 Τεμάχιο/Τεμάχια ανά μήνα
Συσκευασία & Παράδοση:
Συσκευασία: Τυπική & ισχυρή συσκευασία
Πολυτσάντα + Κουτί + Χαρτοκιβώτιο + Παλέτα
Λιμάνι:
Ningbo/Shenzhen/Σαγκάη
Χρόνος παράδοσης:
| Ποσότητα (Τεμάχια) | 1 – 1000 | >1000 |
| Εκτιμ. Χρόνος (ημέρες) | 30 | Προς διαπραγμάτευση |
