Περιγραφή
Η εταιρεία μας παρέχει υπηρεσίες διεργασίας επίστρωσης SiC με μέθοδο CVD σε επιφάνεια γραφίτη, κεραμικών και άλλων υλικών, έτσι ώστε ειδικά αέρια που περιέχουν άνθρακα και πυρίτιο να αντιδρούν σε υψηλή θερμοκρασία για να ληφθούν μόρια SiC υψηλής καθαρότητας, μόρια που εναποτίθενται στην επιφάνεια των επικαλυμμένων υλικών. σχηματίζοντας προστατευτικό στρώμα SIC.
Κύρια χαρακτηριστικά
1. Αντίσταση στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία: η αντίσταση στην οξείδωση εξακολουθεί να είναι πολύ καλή όταν η θερμοκρασία είναι τόσο υψηλή όσο 1600 C.
2. Υψηλή καθαρότητα: γίνεται με χημική εναπόθεση ατμού υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας.
3. Αντοχή στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, συμπαγής επιφάνεια, λεπτά σωματίδια.
4. Αντοχή στη διάβρωση: οξέα, αλκάλια, αλάτι και οργανικά αντιδραστήρια.
Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC
| Ιδιότητες SiC-CVD | ||
| Κρυσταλλική Δομή | FCC β φάση | |
| Πυκνότητα | g/cm ³ | 3.21 |
| Σκληρότητα | Σκληρότητα Vickers | 2500 |
| Μέγεθος κόκκου | μm | 2~10 |
| Χημική Καθαρότητα | % | 99,99995 |
| Θερμοχωρητικότητα | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Θερμοκρασία εξάχνωσης | ℃ | 2700 |
| Καμπυλική δύναμη | MPa (RT 4 σημείων) | 415 |
| Το Modulus του Young | Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃) | 430 |
| Θερμική Διαστολή (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Θερμική αγωγιμότητα | (W/mK) | 300 |
-
Καυτή ζώνη θερμαντήρα γραφίτη/θερμό πεδίο γραφίτη, περίπου...
-
Δίσκοι καρφιτσών SiC για διεργασίες χάραξης ICP στο ...
-
Ημιεξαρτήματα για Επιταξιακό Εξοπλισμό SiC
-
Αντιδραστήρας με επίστρωση καρβιδίου
-
Βαρέλι γραφίτη με επικάλυψη SiC για επιταξιακή ανάπτυξη
-
Επιταξιακός αντιδραστήρας ημιαγωγών με επίστρωση SiC για ...