Περιγραφή
Η επίστρωση CVD-SiC έχει τα χαρακτηριστικά ομοιόμορφης δομής, συμπαγούς υλικού, αντοχής σε υψηλή θερμοκρασία, αντοχής στην οξείδωση, υψηλής καθαρότητας, αντοχής σε οξύ και αλκάλιο και οργανικό αντιδραστήριο, με σταθερές φυσικές και χημικές ιδιότητες.
Σε σύγκριση με υλικά γραφίτη υψηλής καθαρότητας, ο γραφίτης αρχίζει να οξειδώνεται στους 400C, γεγονός που θα προκαλέσει απώλεια σκόνης λόγω οξείδωσης, με αποτέλεσμα τη μόλυνση του περιβάλλοντος σε περιφερειακές συσκευές και τους θαλάμους κενού και αυξάνοντας τις ακαθαρσίες περιβάλλοντος υψηλής καθαρότητας.
Ωστόσο, η επίστρωση SiC μπορεί να διατηρήσει τη φυσική και χημική σταθερότητα στους 1600 μοίρες, Χρησιμοποιείται ευρέως στη σύγχρονη βιομηχανία, ειδικά στη βιομηχανία ημιαγωγών.
Η εταιρεία μας παρέχει υπηρεσίες διεργασίας επίστρωσης SiC με μέθοδο CVD σε επιφάνεια γραφίτη, κεραμικών και άλλων υλικών, έτσι ώστε ειδικά αέρια που περιέχουν άνθρακα και πυρίτιο να αντιδρούν σε υψηλή θερμοκρασία για να ληφθούν μόρια SiC υψηλής καθαρότητας, μόρια που εναποτίθενται στην επιφάνεια των επικαλυμμένων υλικών. σχηματίζοντας προστατευτικό στρώμα SIC.Το SIC που σχηματίζεται είναι σταθερά συνδεδεμένο με τη βάση γραφίτη, δίνοντας στη βάση γραφίτη ιδιαίτερες ιδιότητες, καθιστώντας έτσι την επιφάνεια του γραφίτη συμπαγή, χωρίς πορώδες, αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, αντοχή στη διάβρωση και αντοχή στην οξείδωση.
Εφαρμογή
Κύρια χαρακτηριστικά
1. Γραφίτης με επίστρωση SiC υψηλής καθαρότητας
2. Ανώτερη αντοχή στη θερμότητα & θερμική ομοιομορφία
3. Λεπτή επικάλυψη κρύσταλλου SiC για λεία επιφάνεια
4. Υψηλή αντοχή έναντι του χημικού καθαρισμού
Κύρια Προδιαγραφές Επιστρώσεων CVD-SIC
| SiC-CVD | ||
| Πυκνότητα | (g/cc) | 3.21 |
| Δύναμη κάμψης | (Mpa) | 470 |
| Θερμική διαστολή | (10-6/K) | 4 |
| Θερμική αγωγιμότητα | (W/mK) | 300 |
Συσκευασία και αποστολή
Δυνατότητα προμήθειας:
10000 Τεμάχια/Τεμάχια ανά μήνα
Συσκευασία & Παράδοση:
Συσκευασία: Τυπική & ισχυρή συσκευασία
Πολυτσάντα + Κουτί + Χαρτοκιβώτιο + Παλέτα
Λιμάνι:
Ningbo/Shenzhen/Σαγκάη
Χρόνος παράδοσης:
| Ποσότητα (Τεμάχια) | 1 – 1000 | >1000 |
| Εκτιμ.Χρόνος (ημέρες) | 15 | Προς διαπραγμάτευση |
