Περιγραφή
Η εταιρεία μας παρέχει υπηρεσίες διεργασίας επίστρωσης SiC με μέθοδο CVD σε επιφάνεια γραφίτη, κεραμικών και άλλων υλικών, έτσι ώστε ειδικά αέρια που περιέχουν άνθρακα και πυρίτιο να αντιδρούν σε υψηλή θερμοκρασία για να ληφθούν μόρια SiC υψηλής καθαρότητας, μόρια που εναποτίθενται στην επιφάνεια των επικαλυμμένων υλικών. σχηματίζοντας προστατευτικό στρώμα SIC.
Κύρια χαρακτηριστικά
1. Γραφίτης με επίστρωση SiC υψηλής καθαρότητας
2. Ανώτερη αντοχή στη θερμότητα & θερμική ομοιομορφία
3. Λεπτή επικάλυψη κρύσταλλου SiC για λεία επιφάνεια
4. Υψηλή αντοχή έναντι του χημικού καθαρισμού
Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC
| Ιδιότητες SiC-CVD | ||
| Κρυσταλλική Δομή | FCC β φάση | |
| Πυκνότητα | g/cm ³ | 3.21 |
| Σκληρότητα | Σκληρότητα Vickers | 2500 |
| Μέγεθος κόκκου | μm | 2~10 |
| Χημική Καθαρότητα | % | 99,99995 |
| Θερμοχωρητικότητα | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Θερμοκρασία εξάχνωσης | ℃ | 2700 |
| Καμπυλική δύναμη | MPa (RT 4 σημείων) | 415 |
| Το Modulus του Young | Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃) | 430 |
| Θερμική Διαστολή (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Θερμική αγωγιμότητα | (W/mK) | 300 |
-
Επιταξιακή εναπόθεση πυριτίου σε βαρέλι Susceptor
-
Γραφίτης με επίστρωση καρβιδίου πυριτίου...
-
Βαρέλι επιταξιακού αντιδραστήρα με επικάλυψη καρβιδίου πυριτίου
-
CVD Epitaxial Deposition στο Epitaxy Reactor System
-
Επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC) υψηλής ποιότητας
-
Half Parts Drum Products Epitaxial Part