Υποστρώματα Νιτριδίου Γαλίου|Γκοφρέτες GaN

Υποστρώματα νιτριδίου του γαλλίου|Επιλεγμένη εικόνα GaN Wafers

Σύντομη περιγραφή:

Το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN), όπως και τα υλικά καρβιδίου του πυριτίου (SiC), ανήκει στην τρίτη γενιά υλικών ημιαγωγών με μεγάλο πλάτος διάκενου ζώνης, με μεγάλο πλάτος διάκενου ζώνης, υψηλή θερμική αγωγιμότητα, υψηλό ρυθμό μετανάστευσης κορεσμού ηλεκτρονίων και εξαιρετικό ηλεκτρικό πεδίο υψηλής διάσπασης Χαρακτηριστικά.Οι συσκευές GaN έχουν ένα ευρύ φάσμα προοπτικών εφαρμογής σε τομείς υψηλής συχνότητας, υψηλής ταχύτητας και υψηλής ζήτησης ενέργειας, όπως φωτισμός εξοικονόμησης ενέργειας LED, οθόνη προβολής λέιζερ, νέα ενεργειακά οχήματα, έξυπνο δίκτυο, επικοινωνία 5G.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Τα υλικά ημιαγωγών τρίτης γενιάς περιλαμβάνουν κυρίως SiC, GaN, διαμάντι κ.λπ., επειδή το πλάτος του διακένου ζώνης (π.χ.) είναι μεγαλύτερο ή ίσο με 2,3 ηλεκτρον βολτ (eV), γνωστά και ως υλικά ημιαγωγών ευρείας ζώνης.Σε σύγκριση με τα υλικά ημιαγωγών πρώτης και δεύτερης γενιάς, τα υλικά ημιαγωγών τρίτης γενιάς έχουν τα πλεονεκτήματα της υψηλής θερμικής αγωγιμότητας, του ηλεκτρικού πεδίου υψηλής διάσπασης, του υψηλού ποσοστού μετανάστευσης κορεσμένων ηλεκτρονίων και της υψηλής ενέργειας σύνδεσης, τα οποία μπορούν να ικανοποιήσουν τις νέες απαιτήσεις της σύγχρονης ηλεκτρονικής τεχνολογίας για υψηλή θερμοκρασία, υψηλή ισχύς, υψηλή πίεση, υψηλή συχνότητα και αντίσταση ακτινοβολίας και άλλες σκληρές συνθήκες.Έχει σημαντικές προοπτικές εφαρμογής στους τομείς της εθνικής άμυνας, της αεροπορίας, της αεροδιαστημικής, της εξερεύνησης πετρελαίου, της οπτικής αποθήκευσης κ.λπ., και μπορεί να μειώσει την απώλεια ενέργειας κατά περισσότερο από 50% σε πολλές στρατηγικές βιομηχανίες όπως οι ευρυζωνικές επικοινωνίες, η ηλιακή ενέργεια, η αυτοκινητοβιομηχανία, φωτισμός ημιαγωγών και έξυπνο πλέγμα και μπορεί να μειώσει τον όγκο του εξοπλισμού κατά περισσότερο από 75%, κάτι που είναι ορόσημο για την ανάπτυξη της ανθρώπινης επιστήμης και τεχνολογίας.

Αντικείμενο 项目	GaN-FS-CU-C50	GaN-FS-CN-C50	GaN-FS-C-SI-C50
Διάμετρος 晶圆直径	50,8 ± 1 mm
Πάχος厚度	350 ± 25 μm
Προσανατολισμός 晶向	Επίπεδο C (0001) εκτός γωνίας προς τον άξονα M 0,35 ± 0,15°
Prime Flat 主定位边	(1-100) 0 ± 0,5°, 16 ± 1 mm
Δευτερεύον Διαμέρισμα 次定位边	(11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm
Αγώγιμο 导电性	Ν-τύπου	Ν-τύπου	Ημιμονωτικό
Αντίσταση (300K) 电阻率	< 0,1 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	> 106 Ω·cm
TTV 平整度	≤ 15 μm
ΤΟΞΟ 弯曲度	≤ 20 μm
Τραχύτητα επιφάνειας προσώπου Ga Ga面粗糙度	< 0,2 nm (γυαλισμένο);
	ή < 0,3 nm (γυαλισμένη και επιφανειακή επεξεργασία για επιταξία)
N Τραχύτητα επιφάνειας προσώπου N面粗糙度	0,5 ~ 1,5 μm
	επιλογή: 1~3 nm (λεπτή γείωση).< 0,2 nm (γυαλισμένο)
Πυκνότητα εξάρθρωσης 位错密度	Από 1 x 105 έως 3 x 106 cm-2 (υπολογισμένο με CL)*
Πυκνότητα ελαττώματος μακροεντολής 缺陷密度	< 2 cm-2
Χρήσιμος χώρος 有效面积	> 90% (εξαίρεση ελαττωμάτων ακμών και μακροεντολών)
Μπορεί να προσαρμοστεί σύμφωνα με τις απαιτήσεις του πελάτη, διαφορετική δομή από πυρίτιο, ζαφείρι, επιταξιακό φύλλο GaN με βάση το SiC.