Υποστρώματα Καρβιδίου Πυριτίου|Γκοφρέτες SiC

Υποστρώματα καρβιδίου πυριτίου|Επιλεγμένη εικόνα γκοφρέτες SiC

Σύντομη περιγραφή:

Η WeiTai Energy Technology Co., Ltd. είναι κορυφαίος προμηθευτής που ειδικεύεται σε γκοφρέτες και προηγμένα αναλώσιμα ημιαγωγών.Είμαστε αφοσιωμένοι στην παροχή υψηλής ποιότητας, αξιόπιστων και καινοτόμων προϊόντων στην κατασκευή ημιαγωγών, τη βιομηχανία φωτοβολταϊκών και άλλους συναφείς τομείς.

Η σειρά προϊόντων μας περιλαμβάνει προϊόντα γραφίτη με επικάλυψη SiC/TaC και κεραμικά προϊόντα, που περιλαμβάνουν διάφορα υλικά όπως καρβίδιο του πυριτίου, νιτρίδιο του πυριτίου και οξείδιο του αλουμινίου κ.λπ.

Προς το παρόν, είμαστε ο μόνος κατασκευαστής που παρέχει καθαρότητα 99,9999% επίστρωση SiC και 99,9% ανακρυσταλλωμένο καρβίδιο του πυριτίου.Το μέγιστο μήκος επίστρωσης SiC που μπορούμε να κάνουμε 2640 mm.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Το μονοκρύσταλλο υλικό καρβιδίου του πυριτίου (SiC) έχει μεγάλο πλάτος διάκενου ζώνης (~Si 3 φορές), υψηλή θερμική αγωγιμότητα (~Si 3,3 φορές ή GaAs 10 φορές), υψηλό ρυθμό μετανάστευσης κορεσμού ηλεκτρονίων (~Si 2,5 φορές), υψηλή ηλεκτρική διάσπαση πεδίου (~Si 10 φορές ή GaAs 5 φορές) και άλλα εξαιρετικά χαρακτηριστικά.

Οι συσκευές SiC έχουν αναντικατάστατα πλεονεκτήματα στον τομέα των ηλεκτρονικών συσκευών υψηλής θερμοκρασίας, υψηλής πίεσης, υψηλής συχνότητας, υψηλής ισχύος και ακραίων περιβαλλοντικών εφαρμογών όπως η αεροδιαστημική, η στρατιωτική, η πυρηνική ενέργεια κ.λπ., καλύπτοντας πρακτικά τα ελαττώματα των παραδοσιακών συσκευών ημιαγωγών εφαρμογές, και σταδιακά γίνονται το κύριο ρεύμα ημιαγωγών ισχύος.

Προδιαγραφές υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου 4H-SiC

Αντικείμενο项目	Προδιαγραφές参数
Πολύτυπος 晶型	4Η -SiC	6H- SiC
Διάμετρος 晶圆直径	2 ιντσών \|3 ιντσών \|4 ιντσών \|6 ιντσών	2 ιντσών \|3 ιντσών \|4 ιντσών \|6 ιντσών
Πάχος 厚度	330 μm ~ 350 μm	330 μm ~ 350 μm
Αγώγιμο 导电类型	N – τύπος / Ημιμονωτικό N型导电片/ 半绝缘片	N – τύπος / Ημιμονωτικό N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2 (άζωτο) V (βανάδιο)	N2 (Άζωτο) V (Βανάδιο)
Προσανατολισμός 晶向	Στον άξονα <0001> Εκτός άξονα <0001> εκτός 4°	Στον άξονα <0001> Εκτός άξονα <0001> εκτός 4°
Αντίσταση 电阻率	0,015 ~ 0,03 ohm-cm (4H-N)	0,02 ~ 0,1 ohm-cm (6H-N)
Πυκνότητα μικροσωλήνων (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm	≤ 15 μm
Τόξο / στημόνι 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
Επιφάνεια 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Βαθμός 产品等级	Βαθμός Παραγωγής / Έρευνας	Βαθμός Παραγωγής / Έρευνας
Ακολουθία στοίβαξης κρυστάλλων 堆积方式	ABCB	ABCABC
Παράμετρος πλέγματος 晶格参数	a=3,076A, c=10,053A	a=3,073A, c=15,117A
Eg/eV (Band-gap) 禁带宽度	3,27 eV	3,02 eV
ε(Διηλεκτρική σταθερά) 介电常数	9.6	9,66
Δείκτης Διάθλασης 折射率	n0 =2,719 ne =2,777	n0 =2,707, ne =2,755

Προδιαγραφές υποστρώματος καρβιδίου πυριτίου 6H-SiC

Αντικείμενο项目	Προδιαγραφές参数
Πολύτυπος 晶型	6H-SiC
Διάμετρος 晶圆直径	4 ιντσών \|6 ιντσών
Πάχος 厚度	350μm ~ 450μm
Αγώγιμο 导电类型	N – τύπος / Ημιμονωτικό N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2 (Άζωτο) V (βανάδιο)
Προσανατολισμός 晶向	<0001> έκπτωση 4°± 0,5°
Αντίσταση 电阻率	0,02 ~ 0,1 ohm-cm (Τύπος 6H-N)
Πυκνότητα μικροσωλήνων (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm
Τόξο / στημόνι 翘曲度	≤25 μm
Επιφάνεια 表面处理	Si Face: CMP, Epi-Ready Πρόσωπο C: Οπτικό βερνίκι
Βαθμός 产品等级	Βαθμός έρευνας