Ως ένα από τα βασικά συστατικά τουΕξοπλισμός MOCVD, η βάση γραφίτη είναι ο φορέας και το θερμαντικό σώμα του υποστρώματος, το οποίο καθορίζει άμεσα την ομοιομορφία και την καθαρότητα του υλικού του φιλμ, επομένως η ποιότητά του επηρεάζει άμεσα την προετοιμασία του επιταξιακού φύλλου και ταυτόχρονα με την αύξηση του αριθμού των χρήσεις και την αλλαγή των συνθηκών εργασίας, φοριέται πολύ εύκολα, ανήκει στα αναλώσιμα.
Αν και ο γραφίτης έχει εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα και σταθερότητα, έχει ένα καλό πλεονέκτημα ως βασικό συστατικό τουΕξοπλισμός MOCVD, αλλά στη διαδικασία παραγωγής, ο γραφίτης θα διαβρώσει τη σκόνη λόγω των υπολειμμάτων διαβρωτικών αερίων και μεταλλικών οργανικών ουσιών και η διάρκεια ζωής της βάσης γραφίτη θα μειωθεί σημαντικά.Ταυτόχρονα, η σκόνη γραφίτη που πέφτει θα προκαλέσει ρύπανση στο τσιπ.
Η εμφάνιση της τεχνολογίας επίστρωσης μπορεί να προσφέρει στερέωση επιφανειακής σκόνης, ενίσχυση της θερμικής αγωγιμότητας και εξισορρόπηση της κατανομής θερμότητας, η οποία έχει γίνει η κύρια τεχνολογία για την επίλυση αυτού του προβλήματος.Βάση γραφίτη μέσαΕξοπλισμός MOCVDπεριβάλλον χρήσης, η επίστρωση επιφάνειας βάσης γραφίτη πρέπει να πληροί τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
(1) Η βάση γραφίτη μπορεί να τυλιχτεί πλήρως και η πυκνότητα είναι καλή, διαφορετικά η βάση γραφίτη είναι εύκολο να διαβρωθεί στο διαβρωτικό αέριο.
(2) Η αντοχή του συνδυασμού με τη βάση γραφίτη είναι υψηλή για να διασφαλιστεί ότι η επίστρωση δεν είναι εύκολο να πέσει μετά από αρκετούς κύκλους υψηλής θερμοκρασίας και χαμηλής θερμοκρασίας.
(3) Έχει καλή χημική σταθερότητα για την αποφυγή αστοχίας επίστρωσης σε υψηλή θερμοκρασία και διαβρωτική ατμόσφαιρα.
Το SiC έχει τα πλεονεκτήματα της αντοχής στη διάβρωση, της υψηλής θερμικής αγωγιμότητας, της αντοχής σε θερμικό σοκ και της υψηλής χημικής σταθερότητας και μπορεί να λειτουργήσει καλά στην επιταξιακή ατμόσφαιρα GaN.Επιπλέον, ο συντελεστής θερμικής διαστολής του SiC διαφέρει πολύ λίγο από αυτόν του γραφίτη, επομένως το SiC είναι το προτιμώμενο υλικό για την επιφανειακή επίστρωση της βάσης γραφίτη.
Προς το παρόν, το κοινό SiC είναι κυρίως τύπου 3C, 4H και 6H και οι χρήσεις SiC διαφορετικών τύπων κρυστάλλων είναι διαφορετικές.Για παράδειγμα, το 4H-SiC μπορεί να κατασκευάσει συσκευές υψηλής ισχύος.Το 6H-SiC είναι το πιο σταθερό και μπορεί να κατασκευάσει φωτοηλεκτρικές συσκευές.Λόγω της παρόμοιας δομής του με το GaN, το 3C-SiC μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την παραγωγή επιταξικού στρώματος GaN και την κατασκευή συσκευών RF SiC-GaN.Το 3C-SiC είναι επίσης ευρέως γνωστό ωςβ-SiC, και μια σημαντική χρήση τουβ-Το SiC είναι ως φιλμ και υλικό επίστρωσης, έτσιβ-Το SiC είναι σήμερα το κύριο υλικό για την επίστρωση.
Ώρα δημοσίευσης: Νοε-06-2023