Επί του παρόντος, οι μέθοδοι παρασκευής τουΕπικάλυψη SiCπεριλαμβάνουν κυρίως τη μέθοδο gel-sol, τη μέθοδο ενσωμάτωσης, τη μέθοδο επικάλυψης με βούρτσα, τη μέθοδο ψεκασμού πλάσματος, τη μέθοδο αντίδρασης χημικού αερίου (CVR) και τη μέθοδο χημικής εναπόθεσης ατμού (CVD).
Μέθοδος ενσωμάτωσης:
Η μέθοδος είναι ένα είδος πυροσυσσωμάτωσης στερεάς φάσης υψηλής θερμοκρασίας, η οποία χρησιμοποιεί κυρίως το μείγμα σκόνης Si και σκόνης C ως σκόνη ενσωμάτωσης, η μήτρα γραφίτη τοποθετείται στη σκόνη ενσωμάτωσης και η πυροσυσσωμάτωση σε υψηλή θερμοκρασία πραγματοποιείται στο αδρανές αέριο , και τέλος τοΕπικάλυψη SiCλαμβάνεται στην επιφάνεια της μήτρας γραφίτη.Η διαδικασία είναι απλή και ο συνδυασμός μεταξύ της επίστρωσης και του υποστρώματος είναι καλός, αλλά η ομοιομορφία της επίστρωσης κατά την κατεύθυνση του πάχους είναι κακή, γεγονός που είναι εύκολο να δημιουργήσει περισσότερες οπές και να οδηγήσει σε κακή αντίσταση στην οξείδωση.
Μέθοδος επίστρωσης με πινέλο:
Η μέθοδος επίστρωσης με βούρτσα είναι κυρίως η βούρτσα της υγρής πρώτης ύλης στην επιφάνεια της μήτρας γραφίτη και στη συνέχεια η σκλήρυνση της πρώτης ύλης σε μια ορισμένη θερμοκρασία για την προετοιμασία της επικάλυψης.Η διαδικασία είναι απλή και το κόστος χαμηλό, αλλά η επίστρωση που παρασκευάζεται με τη μέθοδο επικάλυψης με πινέλο είναι αδύναμη σε συνδυασμό με το υπόστρωμα, η ομοιομορφία της επίστρωσης είναι κακή, η επίστρωση είναι λεπτή και η αντίσταση στην οξείδωση είναι χαμηλή και χρειάζονται άλλες μέθοδοι για να βοηθήσουν το.
Μέθοδος ψεκασμού πλάσματος:
Η μέθοδος ψεκασμού πλάσματος είναι κυρίως ο ψεκασμός λιωμένων ή ημι-λιωμένων πρώτων υλών στην επιφάνεια της μήτρας γραφίτη με πιστόλι πλάσματος, και στη συνέχεια στερεοποίηση και συγκόλληση για να σχηματιστεί μια επικάλυψη.Η μέθοδος είναι απλή στη λειτουργία και μπορεί να παρασκευάσει μια σχετικά πυκνή επίστρωση καρβιδίου του πυριτίου, αλλά η επίστρωση καρβιδίου του πυριτίου που παρασκευάζεται με τη μέθοδο είναι συχνά πολύ αδύναμη και οδηγεί σε ασθενή αντίσταση στην οξείδωση, επομένως χρησιμοποιείται γενικά για την παρασκευή σύνθετης επίστρωσης SiC για βελτίωση την ποιότητα της επίστρωσης.
Μέθοδος gel-sol:
Η μέθοδος gel-sol είναι κυρίως η παρασκευή ενός ομοιόμορφου και διαφανούς διαλύματος κολλοειδούς διαλύματος που καλύπτει την επιφάνεια της μήτρας, ξηραίνεται σε πήκτωμα και στη συνέχεια πυροσυσσωματώνεται για να ληφθεί μια επικάλυψη.Αυτή η μέθοδος είναι απλή στη λειτουργία και χαμηλό κόστος, αλλά η επίστρωση που παράγεται έχει κάποιες ελλείψεις, όπως χαμηλή αντοχή σε θερμικό σοκ και εύκολο ράγισμα, επομένως δεν μπορεί να χρησιμοποιηθεί ευρέως.
Χημική Αντίδραση Αερίου (CVR):
Το CVR δημιουργεί κυρίωςΕπικάλυψη SiCμε τη χρήση σκόνης Si και SiO2 για τη δημιουργία ατμού SiO σε υψηλή θερμοκρασία και μια σειρά χημικών αντιδράσεων συμβαίνουν στην επιφάνεια του υποστρώματος υλικού C.οΕπικάλυψη SiCπου παρασκευάζεται με αυτή τη μέθοδο είναι στενά συνδεδεμένο με το υπόστρωμα, αλλά η θερμοκρασία της αντίδρασης είναι υψηλότερη και το κόστος είναι υψηλότερο.
Εναπόθεση χημικών ατμών (CVD):
Επί του παρόντος, η CVD είναι η κύρια τεχνολογία προετοιμασίαςΕπικάλυψη SiCστην επιφάνεια του υποστρώματος.Η κύρια διεργασία είναι μια σειρά φυσικών και χημικών αντιδράσεων του αντιδρώντος υλικού αέριας φάσης στην επιφάνεια του υποστρώματος και τελικά η επίστρωση SiC παρασκευάζεται με εναπόθεση στην επιφάνεια του υποστρώματος.Η επίστρωση SiC που παρασκευάζεται με τεχνολογία CVD είναι στενά συνδεδεμένη με την επιφάνεια του υποστρώματος, η οποία μπορεί να βελτιώσει αποτελεσματικά την αντίσταση στην οξείδωση και την αφαιρετική αντίσταση του υλικού του υποστρώματος, αλλά ο χρόνος εναπόθεσης αυτής της μεθόδου είναι μεγαλύτερος και το αέριο αντίδρασης έχει μια ορισμένη τοξικότητα αέριο.
Ώρα δημοσίευσης: Νοε-06-2023