Η Semicera παρέχει εξειδικευμένες επικαλύψεις καρβιδίου του τανταλίου (TaC) για διάφορα εξαρτήματα και φορείς.Η κορυφαία διαδικασία επίστρωσης Semicera επιτρέπει στις επικαλύψεις καρβιδίου τανταλίου (TaC) να επιτυγχάνουν υψηλή καθαρότητα, σταθερότητα υψηλής θερμοκρασίας και υψηλή χημική ανοχή, βελτιώνοντας την ποιότητα του προϊόντος των κρυστάλλων SIC/GAN και των στρωμάτων EPI (Υποδοχέας TaC με επικάλυψη γραφίτη), και την παράταση της διάρκειας ζωής των βασικών εξαρτημάτων του αντιδραστήρα.Η χρήση της επίστρωσης TaC καρβιδίου του τανταλίου είναι για την επίλυση του προβλήματος των άκρων και τη βελτίωση της ποιότητας της ανάπτυξης κρυστάλλων, και η Semicera έχει μια σημαντική ανακάλυψη επίλυσης της τεχνολογίας επίστρωσης καρβιδίου του τανταλίου (CVD), φτάνοντας στο διεθνές προηγμένο επίπεδο.
Με την εμφάνιση των πλακών καρβιδίου του πυριτίου (SiC) 8 ιντσών, οι απαιτήσεις για διάφορες διεργασίες ημιαγωγών έχουν γίνει ολοένα και πιο αυστηρές, ειδικά για διαδικασίες επιταξίας όπου οι θερμοκρασίες μπορεί να υπερβούν τους 2000 βαθμούς Κελσίου.Τα παραδοσιακά υποδοχέα, όπως ο γραφίτης επικαλυμμένος με καρβίδιο του πυριτίου, τείνουν να εξαχνώνονται σε αυτές τις υψηλές θερμοκρασίες, διαταράσσοντας τη διαδικασία της επιταξίας.Ωστόσο, το καρβίδιο του τανταλίου CVD (TaC) αντιμετωπίζει αποτελεσματικά αυτό το πρόβλημα, αντέχει σε θερμοκρασίες έως 2300 βαθμούς Κελσίου και προσφέρει μεγαλύτερη διάρκεια ζωής.Επικοινωνήστε με τη Semicera's Επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου Half-moonγια να εξερευνήσετε περισσότερα σχετικά με τις προηγμένες λύσεις μας.
Μετά από χρόνια ανάπτυξης, η Semicera έχει κατακτήσει την τεχνολογία τηςCVD TaCμε τις κοινές προσπάθειες του τμήματος Ε&Α.Τα ελαττώματα είναι εύκολο να εμφανιστούν στη διαδικασία ανάπτυξης των πλακών SiC, αλλά μετά τη χρήσηTaC, η διαφορά είναι σημαντική.Παρακάτω είναι μια σύγκριση γκοφρετών με και χωρίς TaC, καθώς και εξαρτημάτων Simicera για ανάπτυξη μονού κρυστάλλου.
με και χωρίς TaC
Μετά τη χρήση του TaC (δεξιά)
Επιπλέον, του SemiceraΠροϊόντα επικαλυμμένα με TaCπαρουσιάζουν μεγαλύτερη διάρκεια ζωής και μεγαλύτερη αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες σε σύγκριση μεΕπιστρώσεις SiC.Εργαστηριακές μετρήσεις έχουν δείξει ότι μαςΕπιστρώσεις TaCμπορεί να λειτουργεί σταθερά σε θερμοκρασίες έως και 2300 βαθμούς Κελσίου για παρατεταμένες περιόδους.Παρακάτω είναι μερικά παραδείγματα δειγμάτων μας:
Υποδοχέας επικαλυμμένος με TaC
Γραφίτης με αντιδραστήρα επικαλυμμένο με TaC
-
Κάλυμμα γραφίτη με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου
-
Επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC) υψηλής ποιότητας
-
Δακτύλιος με επίστρωση καρβιδίου τανταλίου
-
Δαχτυλίδι γραφίτη με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου
-
Κάλυμμα γραφίτη με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC).
-
Δακτύλιος οδηγός επίστρωσης καρβιδίου τανταλίου CVD