Εισαγωγή στην επίστρωση CVD TaC:
Το CVD TaC Coating είναι μια τεχνολογία που χρησιμοποιεί χημική εναπόθεση ατμού για την εναπόθεση επικάλυψης καρβιδίου του τανταλίου (TaC) στην επιφάνεια ενός υποστρώματος. Το καρβίδιο του τανταλίου είναι ένα κεραμικό υλικό υψηλής απόδοσης με εξαιρετικές μηχανικές και χημικές ιδιότητες. Η διαδικασία CVD δημιουργεί ένα ομοιόμορφο φιλμ TaC στην επιφάνεια του υποστρώματος μέσω της αντίδρασης αερίου.
Κύρια χαρακτηριστικά:
Εξαιρετική σκληρότητα και αντοχή στη φθορά: Το καρβίδιο του τανταλίου έχει εξαιρετικά υψηλή σκληρότητα και η επίστρωση CVD TaC μπορεί να βελτιώσει σημαντικά την αντοχή στη φθορά του υποστρώματος. Αυτό καθιστά την επίστρωση ιδανική για εφαρμογές σε περιβάλλοντα υψηλής φθοράς, όπως εργαλεία κοπής και καλούπια.
Σταθερότητα σε υψηλή θερμοκρασία: Οι επικαλύψεις TaC προστατεύουν τα κρίσιμα εξαρτήματα του κλιβάνου και του αντιδραστήρα σε θερμοκρασίες έως 2200°C, επιδεικνύοντας καλή σταθερότητα. Διατηρεί τη χημική και μηχανική σταθερότητα κάτω από ακραίες συνθήκες θερμοκρασίας, καθιστώντας το κατάλληλο για επεξεργασία σε υψηλές θερμοκρασίες και εφαρμογές σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας.
Εξαιρετική χημική σταθερότητα: Το καρβίδιο του τανταλίου έχει ισχυρή αντοχή στη διάβρωση στα περισσότερα οξέα και αλκάλια και η επίστρωση CVD TaC μπορεί να αποτρέψει αποτελεσματικά τη ζημιά στο υπόστρωμα σε διαβρωτικά περιβάλλοντα.
Υψηλό σημείο τήξης: Το καρβίδιο του τανταλίου έχει υψηλό σημείο τήξης (περίπου 3880°C), επιτρέποντας τη χρήση της επίστρωσης CVD TaC σε συνθήκες ακραίας υψηλής θερμοκρασίας χωρίς τήξη ή υποβάθμιση.
Εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα: Η επίστρωση TaC έχει υψηλή θερμική αγωγιμότητα, η οποία βοηθά στην αποτελεσματική διάχυση της θερμότητας σε διαδικασίες υψηλής θερμοκρασίας και στην πρόληψη της τοπικής υπερθέρμανσης.
Πιθανές εφαρμογές:
• Στοιχεία επιταξικού αντιδραστήρα CVD Nitride Gallium (GaN) και καρβίδιο του πυριτίου, συμπεριλαμβανομένων φορέων γκοφρέτας, δορυφορικών πιάτων, κεφαλών ντους, οροφής και υποδοχέων
• Καρβίδιο του πυριτίου, νιτρίδιο γαλλίου και νιτρίδιο αλουμινίου (AlN) κρυσταλλικά συστατικά ανάπτυξης, συμπεριλαμβανομένων χωνευτηρίων, υποδοχών σπόρων, δακτυλίων οδήγησης και φίλτρων
• Βιομηχανικά εξαρτήματα που περιλαμβάνουν θερμαντικά στοιχεία αντίστασης, ακροφύσια έγχυσης, δακτυλίους κάλυψης και μπριζόλες
Χαρακτηριστικά εφαρμογής:
• Σταθερή θερμοκρασία πάνω από 2000°C, επιτρέποντας τη λειτουργία σε ακραίες θερμοκρασίες
•Ανθεκτικό στο υδρογόνο (Hz), την αμμωνία (NH3), το μονοσιλάνιο (SiH4) και το πυρίτιο (Si), παρέχοντας προστασία σε σκληρά χημικά περιβάλλοντα
• Η αντοχή του σε θερμικό σοκ επιτρέπει ταχύτερους κύκλους λειτουργίας
• Ο γραφίτης έχει ισχυρή πρόσφυση, εξασφαλίζοντας μεγάλη διάρκεια ζωής και χωρίς αποκόλληση επίστρωσης.
• Εξαιρετικά υψηλή καθαρότητα για την εξάλειψη των περιττών ακαθαρσιών ή ρύπων
• Τυπική κάλυψη επίστρωσης σε αυστηρές ανοχές διαστάσεων
Τεχνικές προδιαγραφές:
Παρασκευή πυκνών επικαλύψεων καρβιδίου του τανταλίου με CVD:
Επικάλυψη TAC με υψηλή κρυσταλλικότητα και εξαιρετική ομοιομορφία:
CVD TAC COATING Τεχνικές Παράμετροι_Semicera:
Φυσικές ιδιότητες επικάλυψης TaC | |
Πυκνότητα | 14,3 (g/cm³) |
Συγκέντρωση χύδην | 8 x 1015/cm |
Ειδική ικανότητα εκπομπής | 0.3 |
Συντελεστής θερμικής διαστολής | 6.3 10-6/K |
Σκληρότητα (HK) | 2000 HK |
Μαζική αντίσταση | 4,5 ohm-cm |
Αντίσταση | 1x10-5Ohm*cm |
Θερμική σταθερότητα | <2500℃ |
Κινητικότητα | 237 εκ2/Vs |
Αλλάζει το μέγεθος του γραφίτη | -10~-20 μμ |
Πάχος επίστρωσης | ≥20um τυπική τιμή (35um+10um) |
Τα παραπάνω είναι τυπικές τιμές.