Δακτύλιοι οδηγοί γραφίτη με επίστρωση TaCαναφέρονται στην εναπόθεση ενός λεπτού στρώματοςκαρβίδιο τανταλίουστην επιφάνεια ενός δακτυλίου οδηγού γραφίτη για τη βελτίωση της αντοχής στη φθορά, της αντοχής σε υψηλή θερμοκρασία και της χημικής σταθερότητας. Αυτή η επίστρωση σχηματίζεται συνήθως στην επιφάνεια ενός δακτυλίου οδηγού γραφίτη με τεχνικές όπως η φυσική εναπόθεση ατμού (PVD) ή η χημική εναπόθεση ατμού (CVD).
Η Semicera παρέχει εξειδικευμένες επικαλύψεις καρβιδίου του τανταλίου (TaC) για διάφορα εξαρτήματα και φορείς.Η κορυφαία διαδικασία επίστρωσης Semicera επιτρέπει στις επικαλύψεις καρβιδίου τανταλίου (TaC) να επιτυγχάνουν υψηλή καθαρότητα, σταθερότητα υψηλής θερμοκρασίας και υψηλή χημική ανοχή, βελτιώνοντας την ποιότητα του προϊόντος των κρυστάλλων SIC/GAN και των στρωμάτων EPI (Υποδοχέας TaC με επικάλυψη γραφίτη), και την παράταση της διάρκειας ζωής των βασικών εξαρτημάτων του αντιδραστήρα. Η χρήση της επίστρωσης TaC καρβιδίου του τανταλίου είναι για την επίλυση του προβλήματος των άκρων και τη βελτίωση της ποιότητας της ανάπτυξης κρυστάλλων, και η Semicera έχει μια σημαντική ανακάλυψη επίλυσης της τεχνολογίας επίστρωσης καρβιδίου του τανταλίου (CVD), φτάνοντας στο διεθνές προηγμένο επίπεδο.
Μετά από χρόνια ανάπτυξης, η Semicera έχει κατακτήσει την τεχνολογία τηςCVD TaCμε τις κοινές προσπάθειες του τμήματος Ε&Α. Τα ελαττώματα είναι εύκολο να εμφανιστούν στη διαδικασία ανάπτυξης των πλακών SiC, αλλά μετά τη χρήσηTaC, η διαφορά είναι σημαντική. Παρακάτω είναι μια σύγκριση γκοφρετών με και χωρίς TaC, καθώς και εξαρτημάτων Simicera για ανάπτυξη μονού κρυστάλλου.
Τα κύρια χαρακτηριστικά των δακτυλίων οδηγών γραφίτη με επίστρωση TaC περιλαμβάνουν:
1. Αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία: Η επίστρωση TaC έχει εξαιρετική σταθερότητα σε υψηλή θερμοκρασία και μπορεί να διατηρήσει τη σταθερότητα σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας.
2. Αντοχή στη φθορά: Η υψηλή σκληρότητα του λεπτού στρώματος καρβιδίου του τανταλίου δίνει στον δακτύλιο οδηγό καλή αντοχή στη φθορά και παρατείνει τη διάρκεια ζωής του.
3. Χημική σταθερότητα: Η επίστρωση TaC έχει υψηλή σταθερότητα έναντι της χημικής διάβρωσης, καθιστώντας την κατάλληλη για εφαρμογές σε ορισμένα διαβρωτικά μέσα.
4. Μειώστε την τριβή: Η επίστρωση TaC μπορεί να μειώσει αποτελεσματικά την τριβή μεταξύ του δακτυλίου οδηγού γραφίτη και άλλων εξαρτημάτων και να βελτιώσει την απόδοση των μηχανικών σφραγίδων.
με και χωρίς TaC
Μετά τη χρήση του TaC (δεξιά)
Επιπλέον, του SemiceraΠροϊόντα επικαλυμμένα με TaCπαρουσιάζουν μεγαλύτερη διάρκεια ζωής και μεγαλύτερη αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες σε σύγκριση μεΕπιστρώσεις SiC.Εργαστηριακές μετρήσεις έχουν δείξει ότι μαςΕπιστρώσεις TaCμπορεί να λειτουργεί σταθερά σε θερμοκρασίες έως και 2300 βαθμούς Κελσίου για παρατεταμένες περιόδους. Παρακάτω είναι μερικά παραδείγματα δειγμάτων μας:
-
Σωλήνες ανάπτυξης κρυστάλλων SiC με προηγμένο ταντάλιο...
-
Υποδοχέας γκοφρέτας με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC).
-
Χωνευτήριο επικάλυψης καρβιδίου τανταλίου
-
Υποδοχέας με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC) για Epi...
-
Καρβίδιο τανταλίου TaC CVD Coating Wafer Susceptor
-
Δακτύλιος γραφίτη με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC).