Πεδίο εφαρμογής
1. Ολοκληρωμένο κύκλωμα υψηλής ταχύτητας
2. Συσκευές μικροκυμάτων
3. Ολοκληρωμένο κύκλωμα υψηλής θερμοκρασίας
4. Συσκευές ισχύος
5. Ολοκληρωμένο κύκλωμα χαμηλής ισχύος
6. MEMS
7. Ολοκληρωμένο κύκλωμα χαμηλής τάσης
Είδος | Επιχείρημα | |
Ολικός | Διάμετρος γκοφρέτας | 50/75/100/125/150/200mm±25um |
Τόξο/Στημόνι | <10 χμ | |
Σωματίδια | 0,3um<30ea | |
Flats/Notch | Επίπεδη ή εγκοπή | |
Εξαίρεση άκρων | / | |
Επίπεδο συσκευής | Τύπος στρώσης συσκευής/Εξάρτηση | N-Type/P-Type |
Προσανατολισμός επιπέδου συσκευής | <1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0> | |
Πάχος στρώσης συσκευής | 0,1~300 μ | |
Αντίσταση στρώσης συσκευής | 0,001~100.000 ohm-cm | |
Σωματίδια στρώσης συσκευής | <30ea@0.3 | |
Επίπεδο συσκευής TTV | <10 χμ | |
Φινίρισμα επιπέδου συσκευής | Αμεμπτος | |
ΚΟΥΤΙ | Πάχος θαμμένου θερμικού οξειδίου | 50nm (500Å)~15um |
Στρώμα λαβής | Λαβή Γκοφρέτα Τύπος/Dopant | N-Type/P-Type |
Προσανατολισμός λαβής γκοφρέτας | <1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0> | |
Αντιστάσεις λαβής γκοφρέτας | 0,001~100.000 ohm-cm | |
Πάχος γκοφρέτας λαβής | >100μ | |
Φινίρισμα γκοφρέτας λαβής | Αμεμπτος | |
Οι γκοφρέτες SOI προδιαγραφών-στόχων μπορούν να προσαρμοστούν σύμφωνα με τις απαιτήσεις του πελάτη. |