Οι γκοφρέτες πυριτίου Semicera είναι σχολαστικά κατασκευασμένες για να χρησιμεύουν ως βάση για μια ευρεία γκάμα συσκευών ημιαγωγών, από μικροεπεξεργαστές έως φωτοβολταϊκά στοιχεία. Αυτές οι γκοφρέτες είναι κατασκευασμένες με υψηλή ακρίβεια και καθαρότητα, εξασφαλίζοντας βέλτιστη απόδοση σε διάφορες ηλεκτρονικές εφαρμογές.
Κατασκευασμένα με χρήση προηγμένων τεχνικών, τα Semicera Silicon Wafers παρουσιάζουν εξαιρετική επιπεδότητα και ομοιομορφία, τα οποία είναι ζωτικής σημασίας για την επίτευξη υψηλών αποδόσεων στην κατασκευή ημιαγωγών. Αυτό το επίπεδο ακρίβειας βοηθά στην ελαχιστοποίηση των ελαττωμάτων και στη βελτίωση της συνολικής απόδοσης των ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.
Η ανώτερη ποιότητα των γκοφρετών πυριτίου Semicera είναι εμφανής στα ηλεκτρικά τους χαρακτηριστικά, τα οποία συμβάλλουν στην βελτιωμένη απόδοση των συσκευών ημιαγωγών. Με χαμηλά επίπεδα ακαθαρσιών και υψηλή ποιότητα κρυστάλλου, αυτές οι γκοφρέτες παρέχουν την ιδανική πλατφόρμα για την ανάπτυξη ηλεκτρονικών ειδών υψηλής απόδοσης.
Διαθέσιμα σε διάφορα μεγέθη και προδιαγραφές, τα Semicera Silicon Wafers μπορούν να προσαρμοστούν για να ανταποκρίνονται στις ειδικές ανάγκες διαφορετικών βιομηχανιών, συμπεριλαμβανομένων των υπολογιστών, των τηλεπικοινωνιών και των ανανεώσιμων πηγών ενέργειας. Είτε πρόκειται για μεγάλης κλίμακας παραγωγή είτε για εξειδικευμένη έρευνα, αυτές οι γκοφρέτες προσφέρουν αξιόπιστα αποτελέσματα.
Η Semicera δεσμεύεται να υποστηρίζει την ανάπτυξη και την καινοτομία της βιομηχανίας ημιαγωγών παρέχοντας υψηλής ποιότητας γκοφρέτες πυριτίου που πληρούν τα υψηλότερα βιομηχανικά πρότυπα. Με έμφαση στην ακρίβεια και την αξιοπιστία, η Semicera επιτρέπει στους κατασκευαστές να ξεπεράσουν τα όρια της τεχνολογίας, διασφαλίζοντας ότι τα προϊόντα τους παραμένουν στην πρώτη γραμμή της αγοράς.
| Είδη | Παραγωγή | Ερευνα | Ανδρείκελο |
| Παράμετροι Κρυστάλλων | |||
| Πολύτυπος | 4H | ||
| Σφάλμα προσανατολισμού επιφάνειας | <11-20 >4±0,15° | ||
| Ηλεκτρικές Παράμετροι | |||
| Dopant | Άζωτο n τύπου | ||
| Αντίσταση | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Μηχανικές Παράμετροι | |||
| Διάμετρος | 150,0±0,2 χλστ | ||
| Πάχος | 350±25 μm | ||
| Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός | [1-100]±5° | ||
| Πρωτεύον επίπεδο μήκος | 47,5±1,5 χλστ | ||
| Δευτερεύον διαμέρισμα | Κανένας | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Τόξο | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Στημόνι | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Μπροστινή (Si-face) τραχύτητα (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Δομή | |||
| Πυκνότητα μικροσωλήνων | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Ακαθαρσίες μετάλλων | ≤5E10άτομα/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ποιότητα εμπρός | |||
| Εμπρός | Si | ||
| Φινίρισμα επιφάνειας | Si-face CMP | ||
| Σωματίδια | ≤60ea/γκοφρέτα (μέγεθος≥0,3μm) | NA | |
| Γρατσουνιές | ≤5ea/mm. Αθροιστικό μήκος ≤Διάμετρος | Αθροιστικό μήκος≤2*Διάμετρος | NA |
| Φλούδα πορτοκαλιού/κουκούτσια/λεκέδες/ραβδώσεις/ ρωγμές/μόλυνση | Κανένας | NA | |
| Τσιπ άκρων/εσοχές/θραύσεις/εξάγωνες πλάκες | Κανένας | ||
| Πολυτυπικές περιοχές | Κανένας | Σωρευτική περιοχή≤20% | Σωρευτική περιοχή≤30% |
| Μπροστινή σήμανση λέιζερ | Κανένας | ||
| Πίσω Ποιότητα | |||
| Πίσω φινίρισμα | CMP προσώπου C | ||
| Γρατσουνιές | ≤5ea/mm,Σωρευτικό μήκος≤2*Διάμετρος | NA | |
| Ελαττώματα πλάτης (τσιπ άκρων/εσοχές) | Κανένας | ||
| Τραχύτητα πλάτης | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Πίσω σήμανση λέιζερ | 1 mm (από την επάνω άκρη) | ||
| Ακρη | |||
| Ακρη | Λοξότμηση | ||
| Συσκευασία | |||
| Συσκευασία | Epi-ready με συσκευασία κενού αέρος Συσκευασία κασέτα πολλαπλών γκοφρετών | ||
| *Σημειώσεις: "NA" σημαίνει κανένα αίτημα Τα στοιχεία που δεν αναφέρονται ενδέχεται να αναφέρονται σε SEMI-STD. | |||
