Το κεραμικό υπόστρωμα νιτριδίου πυριτίου της Semicera αντιπροσωπεύει την κορυφή της προηγμένης τεχνολογίας υλικών, παρέχοντας εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα και στιβαρές μηχανικές ιδιότητες. Σχεδιασμένο για εφαρμογές υψηλής απόδοσης, αυτό το υπόστρωμα υπερέχει σε περιβάλλοντα που απαιτούν αξιόπιστη θερμική διαχείριση και δομική ακεραιότητα.
Τα κεραμικά υποστρώματα νιτριδίου πυριτίου είναι σχεδιασμένα να αντέχουν σε ακραίες θερμοκρασίες και σκληρές συνθήκες, καθιστώντας τα ιδανικά για ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας. Η ανώτερη θερμική τους αγωγιμότητα εξασφαλίζει αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας, η οποία είναι ζωτικής σημασίας για τη διατήρηση της απόδοσης και της μακροζωίας των ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.
Η δέσμευση της Semicera στην ποιότητα είναι εμφανής σε κάθε κεραμικό υπόστρωμα νιτριδίου πυριτίου που παράγουμε. Κάθε υπόστρωμα κατασκευάζεται χρησιμοποιώντας διαδικασίες αιχμής για να εξασφαλίσει σταθερή απόδοση και ελάχιστα ελαττώματα. Αυτό το υψηλό επίπεδο ακρίβειας υποστηρίζει τις αυστηρές απαιτήσεις βιομηχανιών όπως η αυτοκινητοβιομηχανία, η αεροδιαστημική και οι τηλεπικοινωνίες.
Εκτός από τα θερμικά και μηχανικά τους οφέλη, τα υποστρώματα μας προσφέρουν εξαιρετικές ιδιότητες ηλεκτρικής μόνωσης, οι οποίες συμβάλλουν στη συνολική αξιοπιστία των ηλεκτρονικών σας συσκευών. Με τη μείωση των ηλεκτρικών παρεμβολών και την ενίσχυση της σταθερότητας των εξαρτημάτων, τα κεραμικά υποστρώματα νιτριδίου πυριτίου της Semicera διαδραματίζουν καθοριστικό ρόλο στη βελτιστοποίηση της απόδοσης της συσκευής.
Η επιλογή του κεραμικού υποστρώματος νιτριδίου πυριτίου της Semicera σημαίνει επένδυση σε ένα προϊόν που προσφέρει τόσο υψηλή απόδοση όσο και ανθεκτικότητα. Τα υποστρώματα μας είναι σχεδιασμένα για να καλύπτουν τις ανάγκες προηγμένων ηλεκτρονικών εφαρμογών, διασφαλίζοντας ότι οι συσκευές σας επωφελούνται από την τεχνολογία αιχμής των υλικών και την εξαιρετική αξιοπιστία.
| Είδη | Παραγωγή | Ερευνα | Ανδρείκελο |
| Παράμετροι Κρυστάλλων | |||
| Πολύτυπος | 4H | ||
| Σφάλμα προσανατολισμού επιφάνειας | <11-20 >4±0,15° | ||
| Ηλεκτρικές Παράμετροι | |||
| Dopant | Άζωτο n τύπου | ||
| Αντίσταση | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Μηχανικές Παράμετροι | |||
| Διάμετρος | 150,0±0,2 χλστ | ||
| Πάχος | 350±25 μm | ||
| Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός | [1-100]±5° | ||
| Πρωτεύον επίπεδο μήκος | 47,5±1,5 χλστ | ||
| Δευτερεύον διαμέρισμα | Κανένας | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Τόξο | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Στημόνι | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Μπροστινή (Si-face) τραχύτητα (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Δομή | |||
| Πυκνότητα μικροσωλήνων | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Ακαθαρσίες μετάλλων | ≤5E10άτομα/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ποιότητα εμπρός | |||
| Εμπρός | Si | ||
| Φινίρισμα επιφάνειας | Si-face CMP | ||
| Σωματίδια | ≤60ea/γκοφρέτα (μέγεθος≥0,3μm) | NA | |
| Γρατσουνιές | ≤5ea/mm. Αθροιστικό μήκος ≤Διάμετρος | Αθροιστικό μήκος≤2*Διάμετρος | NA |
| Φλούδα πορτοκαλιού/κουκούτσια/λεκέδες/ραβδώσεις/ ρωγμές/μόλυνση | Κανένας | NA | |
| Τσιπ άκρων/εσοχές/θραύσεις/εξάγωνες πλάκες | Κανένας | ||
| Πολυτυπικές περιοχές | Κανένας | Σωρευτική περιοχή≤20% | Σωρευτική περιοχή≤30% |
| Μπροστινή σήμανση λέιζερ | Κανένας | ||
| Πίσω Ποιότητα | |||
| Πίσω φινίρισμα | CMP προσώπου C | ||
| Γρατσουνιές | ≤5ea/mm,Σωρευτικό μήκος≤2*Διάμετρος | NA | |
| Ελαττώματα πλάτης (τσιπ άκρων/εσοχές) | Κανένας | ||
| Τραχύτητα πλάτης | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Πίσω σήμανση λέιζερ | 1 mm (από την επάνω άκρη) | ||
| Ακρη | |||
| Ακρη | Λοξότμηση | ||
| Συσκευασία | |||
| Συσκευασία | Epi-ready με συσκευασία κενού αέρος Συσκευασία κασέτα πολλαπλών γκοφρετών | ||
| *Σημειώσεις: "NA" σημαίνει κανένα αίτημα Τα στοιχεία που δεν αναφέρονται ενδέχεται να αναφέρονται σε SEMI-STD. | |||
