Το Silicon Film της Semicera είναι ένα υψηλής ποιότητας, σχεδιασμένο με ακρίβεια υλικό σχεδιασμένο για να ανταποκρίνεται στις αυστηρές απαιτήσεις της βιομηχανίας ημιαγωγών. Κατασκευασμένο από καθαρό πυρίτιο, αυτή η λύση λεπτής μεμβράνης προσφέρει εξαιρετική ομοιομορφία, υψηλή καθαρότητα και εξαιρετικές ηλεκτρικές και θερμικές ιδιότητες. Είναι ιδανικό για χρήση σε διάφορες εφαρμογές ημιαγωγών, συμπεριλαμβανομένης της παραγωγής Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate και Epi-Wafer. Το φιλμ πυριτίου της Semicera εξασφαλίζει αξιόπιστη και σταθερή απόδοση, καθιστώντας το απαραίτητο υλικό για προηγμένα μικροηλεκτρονικά.
Ανώτερη ποιότητα και απόδοση για την κατασκευή ημιαγωγών
Η ταινία πυριτίου της Semicera είναι γνωστή για την εξαιρετική μηχανική της αντοχή, την υψηλή θερμική σταθερότητα και τους χαμηλούς ρυθμούς ελαττωμάτων, τα οποία είναι ζωτικής σημασίας για την κατασκευή ημιαγωγών υψηλής απόδοσης. Είτε χρησιμοποιείται στην παραγωγή συσκευών οξειδίου του γαλλίου (Ga2O3), AlN Wafer ή Epi-Wafers, η μεμβράνη παρέχει μια ισχυρή βάση για εναπόθεση λεπτής μεμβράνης και επιταξιακή ανάπτυξη. Η συμβατότητά του με άλλα υποστρώματα ημιαγωγών όπως το SiC Substrate και τα SOI Wafers εξασφαλίζει απρόσκοπτη ενσωμάτωση στις υπάρχουσες διαδικασίες παραγωγής, συμβάλλοντας στη διατήρηση υψηλών αποδόσεων και σταθερής ποιότητας προϊόντων.
Εφαρμογές στη Βιομηχανία Ημιαγωγών
Στη βιομηχανία ημιαγωγών, το Silicon Film της Semicera χρησιμοποιείται σε ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών, από την παραγωγή Si Wafer και SOI Wafer μέχρι πιο εξειδικευμένες χρήσεις όπως το SiN Substrate και η δημιουργία Epi-Wafer. Η υψηλή καθαρότητα και η ακρίβεια αυτού του φιλμ το καθιστούν απαραίτητο για την παραγωγή προηγμένων εξαρτημάτων που χρησιμοποιούνται σε οτιδήποτε, από μικροεπεξεργαστές και ολοκληρωμένα κυκλώματα έως οπτοηλεκτρονικές συσκευές.
Η μεμβράνη πυριτίου παίζει κρίσιμο ρόλο σε διαδικασίες ημιαγωγών όπως η επιταξιακή ανάπτυξη, η συγκόλληση γκοφρέτας και η εναπόθεση λεπτής μεμβράνης. Οι αξιόπιστες ιδιότητές του είναι ιδιαίτερα πολύτιμες για βιομηχανίες που απαιτούν ιδιαίτερα ελεγχόμενα περιβάλλοντα, όπως καθαρά δωμάτια σε εργοστάσια ημιαγωγών. Επιπλέον, το φιλμ πυριτίου μπορεί να ενσωματωθεί σε συστήματα κασετών για αποτελεσματικό χειρισμό και μεταφορά γκοφρέτας κατά την παραγωγή.
Μακροπρόθεσμη αξιοπιστία και συνέπεια
Ένα από τα βασικά πλεονεκτήματα της χρήσης του Semicera's Silicon Film είναι η μακροπρόθεσμη αξιοπιστία του. Με την εξαιρετική αντοχή και τη σταθερή του ποιότητα, αυτή η ταινία παρέχει μια αξιόπιστη λύση για περιβάλλοντα παραγωγής μεγάλου όγκου. Είτε χρησιμοποιείται σε συσκευές ημιαγωγών υψηλής ακρίβειας είτε σε προηγμένες ηλεκτρονικές εφαρμογές, το Silicon Film της Semicera διασφαλίζει ότι οι κατασκευαστές μπορούν να επιτύχουν υψηλή απόδοση και αξιοπιστία σε ένα ευρύ φάσμα προϊόντων.
Γιατί να επιλέξετε το φιλμ πυριτίου της Semicera;
Το φιλμ πυριτίου από τη Semicera είναι ένα απαραίτητο υλικό για εφαρμογές αιχμής στη βιομηχανία ημιαγωγών. Οι ιδιότητές του υψηλής απόδοσης, συμπεριλαμβανομένης της εξαιρετικής θερμικής σταθερότητας, της υψηλής καθαρότητας και της μηχανικής αντοχής, το καθιστούν την ιδανική επιλογή για κατασκευαστές που θέλουν να επιτύχουν τα υψηλότερα πρότυπα στην παραγωγή ημιαγωγών. Από Si Wafer και SiC Substrate μέχρι την παραγωγή συσκευών Ga2O3 Oxide Gallium, αυτή η ταινία προσφέρει απαράμιλλη ποιότητα και απόδοση.
Με το Silicon Film της Semicera, μπορείτε να εμπιστευτείτε ένα προϊόν που καλύπτει τις ανάγκες της σύγχρονης κατασκευής ημιαγωγών, παρέχοντας μια αξιόπιστη βάση για την επόμενη γενιά ηλεκτρονικών.
| Είδη | Παραγωγή | Ερευνα | Ανδρείκελο |
| Παράμετροι Κρυστάλλων | |||
| Πολύτυπος | 4H | ||
| Σφάλμα προσανατολισμού επιφάνειας | <11-20 >4±0,15° | ||
| Ηλεκτρικές Παράμετροι | |||
| Dopant | Άζωτο n τύπου | ||
| Αντίσταση | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Μηχανικές Παράμετροι | |||
| Διάμετρος | 150,0±0,2 χλστ | ||
| Πάχος | 350±25 μm | ||
| Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός | [1-100]±5° | ||
| Πρωτεύον επίπεδο μήκος | 47,5±1,5 χλστ | ||
| Δευτερεύον διαμέρισμα | Κανένας | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Τόξο | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Στημόνι | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Μπροστινή (Si-face) τραχύτητα (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Δομή | |||
| Πυκνότητα μικροσωλήνων | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Ακαθαρσίες μετάλλων | ≤5E10άτομα/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ποιότητα εμπρός | |||
| Εμπρός | Si | ||
| Φινίρισμα επιφάνειας | Si-face CMP | ||
| Σωματίδια | ≤60ea/γκοφρέτα (μέγεθος≥0,3μm) | NA | |
| Γρατσουνιές | ≤5ea/mm. Αθροιστικό μήκος ≤Διάμετρος | Αθροιστικό μήκος≤2*Διάμετρος | NA |
| Φλούδα πορτοκαλιού/κουκούτσια/λεκέδες/ραβδώσεις/ρωγμές/μόλυνση | Κανένας | NA | |
| Τσιπ άκρων/εσοχές/θραύσεις/εξάγωνες πλάκες | Κανένας | ||
| Πολυτυπικές περιοχές | Κανένας | Σωρευτική περιοχή≤20% | Σωρευτική περιοχή≤30% |
| Μπροστινή σήμανση λέιζερ | Κανένας | ||
| Πίσω Ποιότητα | |||
| Πίσω φινίρισμα | CMP προσώπου C | ||
| Γρατσουνιές | ≤5ea/mm,Σωρευτικό μήκος≤2*Διάμετρος | NA | |
| Ελαττώματα πλάτης (τσιπ άκρων/εσοχές) | Κανένας | ||
| Τραχύτητα πλάτης | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Πίσω σήμανση λέιζερ | 1 mm (από την επάνω άκρη) | ||
| Ακρη | |||
| Ακρη | Λοξότμηση | ||
| Συσκευασία | |||
| Συσκευασία | Epi-ready με συσκευασία κενού αέρος Συσκευασία κασέτα πολλαπλών γκοφρετών | ||
| *Σημειώσεις: "NA" σημαίνει κανένα αίτημα Τα στοιχεία που δεν αναφέρονται ενδέχεται να αναφέρονται σε SEMI-STD. | |||
