Σπίτι
Σχετικά με εμάς
Προϊόντα
Επικοινωνήστε μαζί μας
Χαρακτηριστικό
Συχνές ερωτήσεις
Νέα
- Εταιρικά Νέα
- Νέα του κλάδου

Σπίτι
Επίστρωση CVD SiC
Επιταξιακά μέρη SiC

Κατηγορίες

Επίστρωση CVD SiC
Επικάλυψη CVD TaC
Τεχνολογία επιφανειακής επεξεργασίας
Κεραμικό καρβίδιο πυριτίου
Ημιαγωγός Χαλαζίας
Προϊόντα γραφίτη ημιαγωγών
- Γραφίτης με σιλικόνη
- Εξαρτήματα Ισοστατικού Γραφίτη
Ίνα άνθρακα
Οστια
Περισσότερα κεραμικά προϊόντα

Επιλεγμένα προϊόντα

Προσαρμοσμένα ανταλλακτικά με επίστρωση καρβιδίου τανταλίου TaC CVD
Δακτύλιος με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου
Κεραμικό τελεστή SiC υψηλής ακρίβειας
Πρόβολο καρβιδίου πυριτίου
Μεγάλη διάρκεια ζωής Φορέας γραφίτη με επίστρωση SiC για So...
Εργαλείο γραφίτη με επικάλυψη καρβιδίου πυριτίου, για Epitaxy C...
Αντιοξειδωτικός δίσκος MOCVD με επικάλυψη SiC υψηλής καθαρότητας
SiC Coating Barrel Structure for Barrel Susceptor
Ανταλλακτικά ημιαγωγού δεύτερου μισού για επιταξιακό

Επιταξιακά μέρη SiC

Στερεό δαχτυλίδι εστίασης SiC
Δαχτυλίδι χάραξης CVD SiC
Γκοφρέτα 6” για Aixtron G5
LPE Halfmoon Reaction Chamber
Γκοφρέτα μεταφοράς Epitaxy
Στήριγμα γκοφρέτας καρβιδίου πυριτίου
SiC Epitaxy Wafer Carrier
Διεργασία με επίστρωση SiC για Φορείς γραφίτη με επίστρωση SiC με βάση γραφίτη
Επιταξιακός δίσκος μονοκρυσταλλικού πυριτίου με επίστρωση ημιαγωγού SiC
Ημιεξαρτήματα για Επιταξιακό Εξοπλισμό SiC
Φορείς γκοφρέτας γραφίτη με επικάλυψη καρβιδίου πυριτίου
Εξαρτήματα δεύτερου ημιχρόνου για κάτω διαφράγματα σε επιταξιακή διαδικασία

1 2 Επόμενο >>> Σελίδα 1/2

πληροφορίες

Εταιρικό Προφίλ
Επικοινωνήστε μαζί μας
Πιστοποίηση & Τιμή
Προϊόντα

νέο γράμμα

Για ερωτήσεις σχετικά με τα προϊόντα ή τον τιμοκατάλογό μας, αφήστε μας το email σας και θα επικοινωνήσουμε εντός 24 ωρών.

Ερώτηση για Τιμοκατάλογο

την επαφή μας

86-0574-8650 3783
No. 1958 Jiangnan Road, Ningbo High tech Zone, Province Zhejiang, 315201, China
sales01@semi-cera.com

© Πνευματικά δικαιώματα - 2018-2027 : Με την επιφύλαξη παντός δικαιώματος.Χάρτης ιστότοπου
Επικάλυψη TaC, Τσόχα γραφίτη Κίνας και άκαμπτη τσόχα, καρβίδιο τανταλίου, Υπόστρωμα SiC, Επί γκοφρέτα, Si Wafer,

Αποστολή Email