Περιγραφή
Το Semicera GaN Epitaxy Carrier είναι σχολαστικά σχεδιασμένο για να ανταποκρίνεται στις αυστηρές απαιτήσεις της σύγχρονης κατασκευής ημιαγωγών. Με βάση τα υλικά υψηλής ποιότητας και τη μηχανική ακριβείας, αυτός ο φορέας ξεχωρίζει λόγω της εξαιρετικής απόδοσης και αξιοπιστίας του. Η ενσωμάτωση της επίστρωσης Chemical Vapor Deposition (CVD) Carbide Silicon (SiC) εξασφαλίζει ανώτερη ανθεκτικότητα, θερμική απόδοση και προστασία, καθιστώντας την προτιμώμενη επιλογή για τους επαγγελματίες του κλάδου.
Βασικά Χαρακτηριστικά
1. Εξαιρετική ΑνθεκτικότηταΗ επίστρωση CVD SiC στο GaN Epitaxy Carrier ενισχύει την αντοχή του στη φθορά, επεκτείνοντας σημαντικά τη διάρκεια ζωής του. Αυτή η στιβαρότητα εξασφαλίζει σταθερή απόδοση ακόμη και σε απαιτητικά περιβάλλοντα παραγωγής, μειώνοντας την ανάγκη για συχνές αντικαταστάσεις και συντήρηση.
2. Ανώτερη θερμική απόδοσηΗ θερμική διαχείριση είναι κρίσιμης σημασίας στην κατασκευή ημιαγωγών. Οι προηγμένες θερμικές ιδιότητες του GaN Epitaxy Carrier διευκολύνουν την αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας, διατηρώντας τις βέλτιστες συνθήκες θερμοκρασίας κατά τη διαδικασία επιταξιακής ανάπτυξης. Αυτή η απόδοση όχι μόνο βελτιώνει την ποιότητα των γκοφρετών ημιαγωγών αλλά επίσης ενισχύει τη συνολική απόδοση παραγωγής.
3. Προστατευτικές ΙκανότητεςΗ επίστρωση SiC παρέχει ισχυρή προστασία από τη χημική διάβρωση και τα θερμικά σοκ. Αυτό διασφαλίζει τη διατήρηση της ακεραιότητας του φορέα καθ' όλη τη διάρκεια της διαδικασίας κατασκευής, προστατεύοντας τα ευαίσθητα υλικά ημιαγωγών και ενισχύοντας τη συνολική απόδοση και αξιοπιστία της διαδικασίας κατασκευής.
Τεχνικές Προδιαγραφές:
Εφαρμογές:
Το Semicorex GaN Epitaxy Carrier είναι ιδανικό για μια ποικιλία διαδικασιών κατασκευής ημιαγωγών, όπως:
• Επιταξιακή ανάπτυξη GaN
• Διεργασίες ημιαγωγών υψηλής θερμοκρασίας
• Εναπόθεση χημικών ατμών (CVD)
• Άλλες προηγμένες εφαρμογές κατασκευής ημιαγωγών
