CVD Μαζικό καρβίδιο του πυριτίου (SiC)
Επισκόπηση:CVDχύμα καρβίδιο του πυριτίου (SiC)είναι ένα ιδιαίτερα περιζήτητο υλικό στον εξοπλισμό χάραξης πλάσματος, σε εφαρμογές ταχείας θερμικής επεξεργασίας (RTP) και σε άλλες διαδικασίες κατασκευής ημιαγωγών. Οι εξαιρετικές μηχανικές, χημικές και θερμικές του ιδιότητες το καθιστούν ιδανικό υλικό για εφαρμογές προηγμένης τεχνολογίας που απαιτούν υψηλή ακρίβεια και ανθεκτικότητα.
Εφαρμογές CVD Bulk SiC:Το χύμα SiC είναι ζωτικής σημασίας στη βιομηχανία ημιαγωγών, ιδιαίτερα στα συστήματα χάραξης πλάσματος, όπου εξαρτήματα όπως οι δακτύλιοι εστίασης, οι κεφαλές ντους αερίου, οι ακραίοι δακτύλιοι και οι πλάκες επωφελούνται από την εξαιρετική αντοχή στη διάβρωση και τη θερμική αγωγιμότητα του SiC. Η χρήση του εκτείνεται σεRTPσυστήματα λόγω της ικανότητας του SiC να αντέχει τις γρήγορες διακυμάνσεις της θερμοκρασίας χωρίς σημαντική υποβάθμιση.
Εκτός από τον εξοπλισμό χάραξης, CVDχύμα SiCευνοείται σε κλιβάνους διάχυσης και διεργασίες ανάπτυξης κρυστάλλων, όπου απαιτείται υψηλή θερμική σταθερότητα και αντοχή σε σκληρά χημικά περιβάλλοντα. Αυτά τα χαρακτηριστικά καθιστούν το SiC το υλικό επιλογής για εφαρμογές υψηλής ζήτησης που περιλαμβάνουν υψηλές θερμοκρασίες και διαβρωτικά αέρια, όπως αυτά που περιέχουν χλώριο και φθόριο.
Πλεονεκτήματα των εξαρτημάτων CVD Bulk SiC:
•Υψηλή πυκνότητα:Με πυκνότητα 3,2 g/cm³,CVD χύμα SiCΤα εξαρτήματα είναι εξαιρετικά ανθεκτικά στη φθορά και στις μηχανικές κρούσεις.
•Ανώτερη θερμική αγωγιμότητα:Προσφέροντας θερμική αγωγιμότητα 300 W/m·K, το χύμα SiC διαχειρίζεται αποτελεσματικά τη θερμότητα, καθιστώντας το ιδανικό για εξαρτήματα που εκτίθενται σε ακραίους θερμικούς κύκλους.
•Εξαιρετική χημική αντοχή:Η χαμηλή αντιδραστικότητα του SiC με τα αέρια χάραξης, συμπεριλαμβανομένου του χλωρίου και των χημικών ουσιών με βάση το φθόριο, εξασφαλίζει παρατεταμένη διάρκεια ζωής των συστατικών.
•Ρυθμιζόμενη αντίσταση: CVD χύμα SiCΗ ειδική αντίσταση μπορεί να προσαρμοστεί εντός της περιοχής 10-2–104 Ω-cm, καθιστώντας την προσαρμόσιμη σε συγκεκριμένες ανάγκες χάραξης και κατασκευής ημιαγωγών.
•Συντελεστής θερμικής διαστολής:Με συντελεστή θερμικής διαστολής 4,8 x 10-6/°C (25–1000°C), το SiC χύμα CVD αντιστέκεται στο θερμικό σοκ, διατηρώντας τη σταθερότητα των διαστάσεων ακόμη και κατά τη διάρκεια γρήγορων κύκλων θέρμανσης και ψύξης.
•Ανθεκτικότητα στο πλάσμα:Η έκθεση στο πλάσμα και τα αντιδραστικά αέρια είναι αναπόφευκτη στις διαδικασίες ημιαγωγών, αλλάCVD χύμα SiCπροσφέρει ανώτερη αντοχή στη διάβρωση και την υποβάθμιση, μειώνοντας τη συχνότητα αντικατάστασης και το συνολικό κόστος συντήρησης.
Τεχνικές προδιαγραφές:
•Διάμετρος:Μεγαλύτερο από 305 χλστ
•Αντίσταση:Ρυθμιζόμενο σε 10⁻²–104 Ω-cm
•Πυκνότητα:3,2 g/cm³
•Θερμική αγωγιμότητα:300 W/m·K
•Συντελεστής θερμικής διαστολής:4,8 x 10-6/°C (25–1000°C)
Προσαρμογή και ευελιξία:ΣτοSemicera Semiconductor, καταλαβαίνουμε ότι κάθε εφαρμογή ημιαγωγών μπορεί να απαιτεί διαφορετικές προδιαγραφές. Αυτός είναι ο λόγος για τον οποίο τα χύδην εξαρτήματά μας SiC CVD είναι πλήρως προσαρμόσιμα, με ρυθμιζόμενη ειδική αντίσταση και προσαρμοσμένες διαστάσεις που ταιριάζουν στις ανάγκες του εξοπλισμού σας. Είτε βελτιστοποιείτε τα συστήματα χάραξης πλάσματος είτε αναζητάτε ανθεκτικά εξαρτήματα σε διαδικασίες RTP ή διάχυσης, το χύμα SiC CVD προσφέρει απαράμιλλη απόδοση.
