-
Τι είναι το καρβίδιο του τανταλίου;
Το καρβίδιο του τανταλίου (TaC) είναι μια δυαδική ένωση τανταλίου και άνθρακα με χημικό τύπο TaC x, όπου το x συνήθως κυμαίνεται μεταξύ 0,4 και 1. Είναι εξαιρετικά σκληρά, εύθραυστα, πυρίμαχα κεραμικά υλικά με μεταλλική αγωγιμότητα. Είναι καφέ-γκρι σκόνες και είναι εμείς...Διαβάστε περισσότερα -
τι είναι το καρβίδιο του τανταλίου
Το καρβίδιο του τανταλίου (TaC) είναι ένα κεραμικό υλικό εξαιρετικά υψηλής θερμοκρασίας με αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία, υψηλή πυκνότητα, υψηλή συμπαγή. υψηλή καθαρότητα, περιεκτικότητα σε ακαθαρσίες <5 PPM. και χημική αδράνεια σε αμμωνία και υδρογόνο σε υψηλές θερμοκρασίες και καλή θερμική σταθερότητα. Το λεγόμενο υπερ-υψηλό ...Διαβάστε περισσότερα -
Τι είναι η επιταξία;
Οι περισσότεροι μηχανικοί δεν είναι εξοικειωμένοι με την επιταξία, η οποία παίζει σημαντικό ρόλο στην κατασκευή συσκευών ημιαγωγών. Το Epitaxy μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε διαφορετικά προϊόντα τσιπ, και διαφορετικά προϊόντα έχουν διαφορετικούς τύπους επιταξίας, συμπεριλαμβανομένης της επιτάξεως Si, της επιτάξεως SiC, της επιταξίας GaN, κ.λπ. Τι είναι η επιταξία; Η επιταξία είναι...Διαβάστε περισσότερα -
Ποιες είναι οι σημαντικές παράμετροι του SiC;
Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) είναι ένα σημαντικό ημιαγωγικό υλικό ευρείας ζώνης που χρησιμοποιείται ευρέως σε ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας. Ακολουθούν ορισμένες βασικές παράμετροι των πλακών καρβιδίου του πυριτίου και οι λεπτομερείς εξηγήσεις τους: Παράμετροι πλέγματος: Βεβαιωθείτε ότι η ...Διαβάστε περισσότερα -
Γιατί το μονοκρυσταλλικό πυρίτιο πρέπει να τυλιχτεί;
Η έλαση αναφέρεται στη διαδικασία λείανσης της εξωτερικής διαμέτρου μιας μονοκρυσταλλικής ράβδου πυριτίου σε μια μονοκρυσταλλική ράβδο της απαιτούμενης διαμέτρου χρησιμοποιώντας έναν τροχό λείανσης με διαμάντια και λείανση μιας επίπεδης επιφάνειας αναφοράς άκρων ή αυλάκωσης τοποθέτησης της μονοκρυσταλλικής ράβδου. Η εξωτερική διάμετρος επιφάνεια...Διαβάστε περισσότερα -
Διαδικασίες για την παραγωγή σκόνης SiC υψηλής ποιότητας
Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) είναι μια ανόργανη ένωση γνωστή για τις εξαιρετικές του ιδιότητες. Το φυσικό SiC, γνωστό ως moissanite, είναι αρκετά σπάνιο. Σε βιομηχανικές εφαρμογές, το καρβίδιο του πυριτίου παράγεται κυρίως μέσω συνθετικών μεθόδων. Στη Semicera Semiconductor, αξιοποιούμε προηγμένη τεχνική...Διαβάστε περισσότερα -
Έλεγχος ομοιομορφίας ακτινικής ειδικής αντίστασης κατά την έλξη κρυστάλλων
Οι κύριοι λόγοι που επηρεάζουν την ομοιομορφία της ακτινικής ειδικής αντίστασης των μονοκρυστάλλων είναι η επιπεδότητα της διεπιφάνειας στερεού-υγρού και το φαινόμενο μικρού επιπέδου κατά την ανάπτυξη των κρυστάλλων. , το...Διαβάστε περισσότερα -
Γιατί ο φούρνος μονού κρυστάλλου με μαγνητικό πεδίο μπορεί να βελτιώσει την ποιότητα του μονοκρυστάλλου
Δεδομένου ότι το χωνευτήριο χρησιμοποιείται ως δοχείο και υπάρχει μεταφορά στο εσωτερικό, καθώς αυξάνεται το μέγεθος του παραγόμενου μονοκρυστάλλου, η μεταφορά θερμότητας και η ομοιομορφία της κλίσης θερμοκρασίας γίνονται πιο δύσκολο να ελεγχθούν. Προσθέτοντας μαγνητικό πεδίο για να κάνει το αγώγιμο τήγμα να δράσει στη δύναμη Lorentz, η συναγωγή μπορεί να...Διαβάστε περισσότερα -
Ταχεία ανάπτυξη μονοκρυστάλλων SiC χρησιμοποιώντας μαζική πηγή CVD-SiC με μέθοδο εξάχνωσης
Ταχεία ανάπτυξη μονοκρυστάλλου SiC με χρήση πηγής όγκου CVD-SiC μέσω της μεθόδου εξάχνωσης Με τη χρήση ανακυκλωμένων μπλοκ CVD-SiC ως πηγή SiC, οι κρύσταλλοι SiC αναπτύχθηκαν επιτυχώς με ρυθμό 1,46 mm/h μέσω της μεθόδου PVT. Ο μικροσωλήνας και οι πυκνότητες εξάρθρωσης του αναπτυγμένου κρυστάλλου δείχνουν ότι η...Διαβάστε περισσότερα -
Βελτιστοποιημένο και μεταφρασμένο περιεχόμενο σε εξοπλισμό επιταξιακής ανάπτυξης καρβιδίου πυριτίου
Τα υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) έχουν πολλά ελαττώματα που εμποδίζουν την άμεση επεξεργασία. Για τη δημιουργία τσιπ γκοφρέτες, ένα συγκεκριμένο μονοκρυσταλλικό φιλμ πρέπει να αναπτυχθεί στο υπόστρωμα SiC μέσω μιας επιταξιακής διαδικασίας. Αυτό το φιλμ είναι γνωστό ως επιταξιακό στρώμα. Σχεδόν όλες οι συσκευές SiC πραγματοποιούνται σε επιταξιακή...Διαβάστε περισσότερα -
Ο κρίσιμος ρόλος και οι περιπτώσεις εφαρμογής των επικαλυμμένων με SiC επιδεκτικά γραφίτη στην κατασκευή ημιαγωγών
Η Semicera Semiconductor σχεδιάζει να αυξήσει την παραγωγή βασικών εξαρτημάτων για εξοπλισμό κατασκευής ημιαγωγών παγκοσμίως. Μέχρι το 2027, στοχεύουμε να ιδρύσουμε ένα νέο εργοστάσιο 20.000 τετραγωνικών μέτρων με συνολική επένδυση 70 εκατομμυρίων USD. Ένα από τα βασικά μας συστατικά, το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) γκοφρέτα...Διαβάστε περισσότερα -
Γιατί πρέπει να κάνουμε επιταξία σε υποστρώματα γκοφρέτας πυριτίου;
Στην αλυσίδα της βιομηχανίας ημιαγωγών, ειδικά στην αλυσίδα βιομηχανίας ημιαγωγών τρίτης γενιάς (μεγάλο bandgap semiconductor), υπάρχουν υποστρώματα και επιταξιακά στρώματα. Ποια είναι η σημασία του επιταξιακού στρώματος; Ποια είναι η διαφορά μεταξύ του υποστρώματος και του υποστρώματος; Η υποστρ...Διαβάστε περισσότερα