-
Χθες, το Συμβούλιο Καινοτομίας Επιστήμης και Τεχνολογίας εξέδωσε μια ανακοίνωση ότι η Huazhuo Precision Technology τερμάτισε την IPO της!
Μόλις ανακοινώθηκε η παράδοση του πρώτου εξοπλισμού ανόπτησης λέιζερ 8 ιντσών SIC στην Κίνα, που είναι επίσης τεχνολογία της Tsinghua. Γιατί απέσυραν οι ίδιοι τα υλικά; Λίγα λόγια μόνο: Πρώτον, τα προϊόντα είναι πολύ διαφορετικά! Με την πρώτη ματιά, δεν ξέρω τι κάνουν. Προς το παρόν, η Χ...Διαβάστε περισσότερα -
CVD επίστρωση καρβιδίου του πυριτίου-2
Επίστρωση καρβιδίου του πυριτίου CVD 1. Γιατί υπάρχει επίστρωση καρβιδίου του πυριτίου Η επιταξιακή στρώση είναι μια συγκεκριμένη λεπτή μεμβράνη μονού κρυστάλλου που αναπτύσσεται στη βάση της γκοφρέτας μέσω της επιταξιακής διαδικασίας. Η γκοφρέτα υποστρώματος και η επιταξιακή λεπτή μεμβράνη ονομάζονται συλλογικά επιταξιακές γκοφρέτες. Ανάμεσά τους, οι...Διαβάστε περισσότερα -
Διαδικασία προετοιμασίας επίστρωσης SIC
Προς το παρόν, οι μέθοδοι παρασκευής της επικάλυψης SiC περιλαμβάνουν κυρίως τη μέθοδο gel-sol, τη μέθοδο ενσωμάτωσης, τη μέθοδο επικάλυψης με βούρτσα, τη μέθοδο ψεκασμού πλάσματος, τη μέθοδο χημικής αντίδρασης ατμού (CVR) και τη μέθοδο χημικής εναπόθεσης ατμού (CVD). Μέθοδος ενσωμάτωσης Αυτή η μέθοδος είναι ένα είδος στερεάς φάσης υψηλής θερμοκρασίας ...Διαβάστε περισσότερα -
CVD επίστρωση καρβιδίου πυριτίου-1
Τι είναι το CVD SiC Η χημική εναπόθεση ατμών (CVD) είναι μια διαδικασία εναπόθεσης κενού που χρησιμοποιείται για την παραγωγή στερεών υλικών υψηλής καθαρότητας. Αυτή η διαδικασία χρησιμοποιείται συχνά στον τομέα της κατασκευής ημιαγωγών για το σχηματισμό λεπτών μεμβρανών στην επιφάνεια των πλακών. Κατά τη διαδικασία παρασκευής του SiC με CVD, το υπόστρωμα εκπ...Διαβάστε περισσότερα -
Ανάλυση της δομής εξάρθρωσης σε κρύσταλλο SiC με προσομοίωση ιχνηλάτησης ακτίνων υποβοηθούμενη από τοπολογική απεικόνιση ακτίνων Χ
Ερευνητικό υπόβαθρο Σημασία εφαρμογής του καρβιδίου του πυριτίου (SiC): Ως υλικό ημιαγωγού ευρείας ζώνης, το καρβίδιο του πυριτίου έχει προσελκύσει μεγάλη προσοχή λόγω των εξαιρετικών ηλεκτρικών του ιδιοτήτων (όπως μεγαλύτερο διάκενο ζώνης, υψηλότερη ταχύτητα κορεσμού ηλεκτρονίων και θερμική αγωγιμότητα). Αυτά τα στηρίγματα...Διαβάστε περισσότερα -
Διαδικασία παρασκευής κρυστάλλων σπόρων σε μονοκρυσταλλική ανάπτυξη SiC 3
Επαλήθευση ανάπτυξης Οι κρύσταλλοι σπόρων καρβιδίου του πυριτίου (SiC) παρασκευάστηκαν ακολουθώντας την περιγραφόμενη διαδικασία και επικυρώθηκαν μέσω της ανάπτυξης κρυστάλλων SiC. Η πλατφόρμα ανάπτυξης που χρησιμοποιήθηκε ήταν ένας κλίβανος επαγωγής ανάπτυξης SiC που αναπτύχθηκε μόνος του με θερμοκρασία ανάπτυξης 2200℃, πίεση ανάπτυξης 200 Pa και ανάπτυξη...Διαβάστε περισσότερα -
Διαδικασία προετοιμασίας κρυστάλλων σπόρων σε SiC Single Crystal Growth (Μέρος 2)
2. Πειραματική διαδικασία 2.1 Ωρίμανση συγκολλητικής μεμβράνης Παρατηρήθηκε ότι η απευθείας δημιουργία μεμβράνης άνθρακα ή η συγκόλληση με χαρτί γραφίτη σε γκοφρέτες SiC επικαλυμμένες με κόλλα οδήγησε σε διάφορα ζητήματα: 1. Υπό συνθήκες κενού, η κολλητική μεμβράνη σε γκοφρέτες SiC ανέπτυξε μια εμφάνιση που μοιάζει με κλίμακα λόγω να υπογράψω...Διαβάστε περισσότερα -
Διαδικασία παρασκευής κρυστάλλων σπόρων στην ανάπτυξη μονοκρυστάλλου SiC
Το υλικό καρβιδίου του πυριτίου (SiC) έχει τα πλεονεκτήματα του μεγάλου διάκενου ζώνης, της υψηλής θερμικής αγωγιμότητας, της υψηλής έντασης κρίσιμου πεδίου διάσπασης και της υψηλής ταχύτητας μετατόπισης κορεσμένων ηλεκτρονίων, γεγονός που το καθιστά πολλά υποσχόμενο στον τομέα της κατασκευής ημιαγωγών. Οι μονοκρυστάλλοι SiC παράγονται γενικά μέσω...Διαβάστε περισσότερα -
Ποιες είναι οι μέθοδοι για το γυάλισμα της γκοφρέτας;
Από όλες τις διαδικασίες που εμπλέκονται στη δημιουργία ενός τσιπ, η τελική μοίρα της γκοφρέτας είναι να κοπεί σε ατομικές μήτρες και να συσκευαστεί σε μικρά, κλειστά κουτιά με εκτεθειμένες μόνο μερικές καρφίτσες. Το τσιπ θα αξιολογηθεί με βάση τις τιμές κατωφλίου, αντίστασης, ρεύματος και τάσης, αλλά κανείς δεν θα εξετάσει ...Διαβάστε περισσότερα -
The Basic Introduction of SiC Epitaxial Growth Process
Το επιταξιακό στρώμα είναι ένα συγκεκριμένο μονοκρυσταλλικό φιλμ που αναπτύσσεται στη γκοφρέτα με επιταξιακή διαδικασία και η γκοφρέτα υποστρώματος και η επιταξιακή μεμβράνη ονομάζονται επιταξιακή γκοφρέτα. Με την ανάπτυξη του επιταξιακού στρώματος καρβιδίου του πυριτίου στο αγώγιμο υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου, το ομοιογενές επιταξιακό καρβίδιο του πυριτίου...Διαβάστε περισσότερα -
Βασικά σημεία του ποιοτικού ελέγχου της διαδικασίας συσκευασίας ημιαγωγών
Βασικά σημεία για τον ποιοτικό έλεγχο στη διαδικασία συσκευασίας ημιαγωγών Επί του παρόντος, η τεχνολογία διαδικασίας για τη συσκευασία ημιαγωγών έχει βελτιωθεί σημαντικά και βελτιστοποιηθεί. Ωστόσο, από μια συνολική προοπτική, οι διαδικασίες και οι μέθοδοι για τη συσκευασία ημιαγωγών δεν έχουν φτάσει ακόμη στο πιο τέλειο...Διαβάστε περισσότερα -
Προκλήσεις στη διαδικασία συσκευασίας ημιαγωγών
Οι τρέχουσες τεχνικές για τη συσκευασία ημιαγωγών βελτιώνονται σταδιακά, αλλά ο βαθμός στον οποίο υιοθετούνται αυτοματοποιημένος εξοπλισμός και τεχνολογίες στη συσκευασία ημιαγωγών καθορίζει άμεσα την πραγματοποίηση των αναμενόμενων αποτελεσμάτων. Οι υπάρχουσες διαδικασίες συσκευασίας ημιαγωγών εξακολουθούν να υποφέρουν από...Διαβάστε περισσότερα