Μέθοδος PART/1CVD (Chemical Vapor Deposition): Στους 900-2300℃, χρησιμοποιώντας TaCl5 και CnHm ως πηγές τανταλίου και άνθρακα, H2 ως αναγωγική ατμόσφαιρα, Ar2as αέριο φορέα, φιλμ απόθεσης αντίδρασης. Η προετοιμασμένη επίστρωση είναι συμπαγής, ομοιόμορφη και υψηλής καθαρότητας. Ωστόσο, υπάρχουν κάποια προβλήματα...
Διαβάστε περισσότερα