Επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC) υψηλής ποιότητας

Σύντομη περιγραφή:

Η επίστρωση TaC της Semicera προσφέρει εξαιρετική σταθερότητα σε υψηλές θερμοκρασίες, ξεπερνώντας το SiC, αντέχοντας έως και 2300℃. Ιδανικό για την αεροδιαστημική και την ανάπτυξη μονοκρυστάλλων ημιαγωγών τρίτης γενιάς, παρέχει αντοχή στη διάβρωση, την οξείδωση και τη φθορά. Επιλέξτε Semicera για κορυφαία εργοστασιακή κατασκευή και ποιότητα.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Η Semicera παρέχει εξειδικευμένες επικαλύψεις καρβιδίου του τανταλίου (TaC) για διάφορα εξαρτήματα και φορείς.Η κορυφαία διαδικασία επίστρωσης Semicera επιτρέπει στις επικαλύψεις καρβιδίου τανταλίου (TaC) να επιτυγχάνουν υψηλή καθαρότητα, σταθερότητα υψηλής θερμοκρασίας και υψηλή χημική ανοχή, βελτιώνοντας την ποιότητα του προϊόντος των κρυστάλλων SIC/GAN και των στρωμάτων EPI (Υποδοχέας TaC με επικάλυψη γραφίτη), και την παράταση της διάρκειας ζωής των βασικών εξαρτημάτων του αντιδραστήρα. Η χρήση της επίστρωσης TaC καρβιδίου του τανταλίου είναι για την επίλυση του προβλήματος των άκρων και τη βελτίωση της ποιότητας της ανάπτυξης κρυστάλλων, και η Semicera έχει μια σημαντική ανακάλυψη επίλυσης της τεχνολογίας επίστρωσης καρβιδίου του τανταλίου (CVD), φτάνοντας στο διεθνές προηγμένο επίπεδο.

Μετά από χρόνια ανάπτυξης, η Semicera έχει κατακτήσει την τεχνολογία τηςCVD TaCμε τις κοινές προσπάθειες του τμήματος Ε&Α. Τα ελαττώματα είναι εύκολο να εμφανιστούν στη διαδικασία ανάπτυξης των πλακών SiC, αλλά μετά τη χρήσηTaC, η διαφορά είναι σημαντική. Παρακάτω είναι μια σύγκριση γκοφρετών με και χωρίς TaC, καθώς και εξαρτημάτων Semicera για ανάπτυξη μονού κρυστάλλου

Εξάρτημα με επίστρωση TaC για ανάπτυξη μονοκρύσταλλου

Επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου κατά της φθοράς_ Προστατεύει τον εξοπλισμό από φθορά και διάβρωση Προτεινόμενη εικόνα

Δακτύλιος γραφίτη με επίστρωση TaC

με και χωρίς TaC

Μετά τη χρήση του TaC (δεξιά)

Επιπλέον, η διάρκεια ζωής των προϊόντων επίστρωσης TaC της Semicera είναι μεγαλύτερη και πιο ανθεκτική στις υψηλές θερμοκρασίες από αυτή της επίστρωσης SiC. Μετά από μεγάλο χρονικό διάστημα δεδομένων εργαστηριακών μετρήσεων, το TaC μας μπορεί να λειτουργήσει για μεγάλο χρονικό διάστημα στους 2300 βαθμούς Κελσίου το πολύ. Τα παρακάτω είναι μερικά από τα δείγματά μας: