Semicera Semiconductor προσφέρει τελευταίας τεχνολογίαςΚρύσταλλοι SiCκαλλιεργείται χρησιμοποιώντας ένα εξαιρετικά αποτελεσματικόΜέθοδος PVT. Με την αξιοποίησηCVD-SiCΤα αναγεννητικά μπλοκ ως πηγή SiC, έχουμε επιτύχει έναν αξιοσημείωτο ρυθμό ανάπτυξης 1,46 mm h−1, διασφαλίζοντας κορυφαία ποιότητα σχηματισμού κρυστάλλων με χαμηλή πυκνότητα μικροσωληνίσκων και εξάρθρωσης. Αυτή η καινοτόμος διαδικασία εγγυάται υψηλή απόδοσηΚρύσταλλοι SiCκατάλληλο για απαιτητικές εφαρμογές στη βιομηχανία ημιαγωγών ισχύος.
Παράμετρος κρυστάλλου SiC (Προδιαγραφές)
- Μέθοδος ανάπτυξης: Φυσική μεταφορά ατμών (PVT)
- Ρυθμός ανάπτυξης: 1,46 mm h−1
- Ποιότητα κρυστάλλου: Υψηλή, με χαμηλή πυκνότητα μικροσωληνίσκου και εξάρθρωσης
- Υλικό: SiC (καρβίδιο πυριτίου)
- Εφαρμογή: Εφαρμογές υψηλής τάσης, υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας
Χαρακτηριστικό και Εφαρμογή SiC Crystal
Semicera Semiconductor's Κρύσταλλοι SiCείναι ιδανικά γιαεφαρμογές ημιαγωγών υψηλής απόδοσης. Το υλικό ημιαγωγών ευρείας ζώνης είναι τέλειο για εφαρμογές υψηλής τάσης, υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας. Οι κρύσταλλοι μας έχουν σχεδιαστεί για να πληρούν τα πιο αυστηρά πρότυπα ποιότητας, διασφαλίζοντας αξιοπιστία και αποτελεσματικότητα στοεφαρμογές ημιαγωγών ισχύος.
Λεπτομέρειες κρυστάλλου SiC
Χρησιμοποιώντας θρυμματισμένοΜπλοκ CVD-SiCως υλικό πηγής, μαςΚρύσταλλοι SiCπαρουσιάζουν ανώτερη ποιότητα σε σύγκριση με τις συμβατικές μεθόδους. Η προηγμένη διαδικασία PVT ελαχιστοποιεί ελαττώματα όπως τα εγκλείσματα άνθρακα και διατηρεί υψηλά επίπεδα καθαρότητας, καθιστώντας τους κρυστάλλους μας ιδιαίτερα κατάλληλους γιαδιεργασίες ημιαγωγώναπαιτούν εξαιρετική ακρίβεια.
-
Επιταξιακός αντιδραστήρας Β υψηλής θερμοκρασίας με επίστρωση SiC...
-
Γραφιτένιο καζάνι τριών λοβών με εξαιρετικό το...
-
SiC Coating Barrel Structure for Barrel Susceptor
-
Υποδοχέας με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC) για Epi...
-
Ανθεκτικό στη διάβρωση κεραμικό καρβίδιο του πυριτίου
-
Γκοφρέτα SiC τύπου N 6 ιντσών