Εισαγωγή στην επίστρωση καρβιδίου του πυριτίου
Η επίστρωση καρβιδίου του πυριτίου (SiC) με χημική εναπόθεση ατμών (CVD) είναι ένα εξαιρετικά ανθεκτικό και ανθεκτικό στη φθορά στρώμα, ιδανικό για περιβάλλοντα που απαιτούν υψηλή αντοχή στη διάβρωση και τη θερμότητα.Επικάλυψη καρβιδίου πυριτίουεφαρμόζεται σε λεπτές στρώσεις σε διάφορα υποστρώματα μέσω της διαδικασίας CVD, προσφέροντας ανώτερα χαρακτηριστικά απόδοσης.
Βασικά Χαρακτηριστικά
● -Εξαιρετική Καθαρότητα: Διαθέτει εξαιρετικά καθαρή σύνθεση από99,99995%, μαςΕπικάλυψη SiCελαχιστοποιεί τους κινδύνους μόλυνσης σε ευαίσθητες λειτουργίες ημιαγωγών.
● -Ανώτερη Αντίσταση: Παρουσιάζει εξαιρετική αντοχή τόσο στη φθορά όσο και στη διάβρωση, καθιστώντας το ιδανικό για δύσκολες ρυθμίσεις χημικών και πλάσματος.
● -Υψηλή θερμική αγωγιμότητα: Εξασφαλίζει αξιόπιστη απόδοση σε ακραίες θερμοκρασίες λόγω των εξαιρετικών θερμικών ιδιοτήτων του.
● -Σταθερότητα διαστάσεων: Διατηρεί τη δομική ακεραιότητα σε ένα ευρύ φάσμα θερμοκρασιών, χάρη στον χαμηλό συντελεστή θερμικής διαστολής.
● -Ενισχυμένη σκληρότητα: Με βαθμολογία σκληρότητας40 GPa, η επίστρωση SiC μας αντέχει σημαντικά χτυπήματα και τριβές.
● -Ομαλό φινίρισμα επιφάνειας: Παρέχει φινίρισμα που μοιάζει με καθρέφτη, μειώνοντας τη δημιουργία σωματιδίων και ενισχύοντας τη λειτουργική απόδοση.
Εφαρμογές
Ημικερά Επιστρώσεις SiCχρησιμοποιούνται σε διάφορα στάδια της κατασκευής ημιαγωγών, όπως:
● -Κατασκευή τσιπ LED
● -Παραγωγή Πολυπυριτίου
● -Ημιαγωγός Crystal Growth
● -Silicon and SiC Epitaxy
● -Θερμική οξείδωση και διάχυση (TO&D)
Παρέχουμε εξαρτήματα επικαλυμμένα με SiC κατασκευασμένα από ισοστατικό γραφίτη υψηλής αντοχής, άνθρακα ενισχυμένο με ίνες άνθρακα και ανακρυσταλλωμένο καρβίδιο του πυριτίου 4Ν, προσαρμοσμένα για αντιδραστήρες ρευστοποιημένης κλίνης,Μετατροπείς STC-TCS, ανακλαστήρες μονάδων CZ, βάρκα γκοφρέτας SiC, κουπί SiCwafer, σωλήνας γκοφρέτας SiC και φορείς πλακών που χρησιμοποιούνται σε διεργασίες PECVD, επιταξία πυριτίου, MOCVD.
Οφέλη
● -Εκτεταμένη διάρκεια ζωής: Μειώνει σημαντικά το χρόνο διακοπής λειτουργίας του εξοπλισμού και το κόστος συντήρησης, ενισχύοντας τη συνολική απόδοση παραγωγής.
● -Βελτιωμένη Ποιότητα: Επιτυγχάνει επιφάνειες υψηλής καθαρότητας που είναι απαραίτητες για την επεξεργασία ημιαγωγών, ενισχύοντας έτσι την ποιότητα του προϊόντος.
● -Αυξημένη αποτελεσματικότητα: Βελτιστοποιεί τις θερμικές και CVD διεργασίες, με αποτέλεσμα μικρότερους χρόνους κύκλου και υψηλότερες αποδόσεις.
Τεχνικές Προδιαγραφές
● -Δομή: Πολυκρυσταλλική φάση β FCC, κυρίως (111) προσανατολισμένη
● -Πυκνότητα: 3,21 g/cm³
● -Σκληρότητα: 2500 Vickes σκληρότητα (500g φορτίο)
● -Σκληρότητα κατάγματος: 3,0 MPa·m1/2
● -Συντελεστής θερμικής διαστολής (100–600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● -Ελαστικό μέτρο(1300 ℃):435 GPa
● -Τυπικό πάχος φιλμ:100 μm
● -Επιφανειακή τραχύτητα:2-10 μm
Δεδομένα καθαρότητας (μετρούμενα με φασματοσκοπία μάζας εκκένωσης λάμψης)
| Στοιχείο | ppm | Στοιχείο | ppm |
| Li | < 0,001 | Cu | < 0,01 |
| Be | < 0,001 | Zn | < 0,05 |
| Ο Αλ | < 0,04 | Ga | < 0,01 |
| P | < 0,01 | Ge | < 0,05 |
| S | < 0,04 | As | < 0,005 |
| K | < 0,05 | In | < 0,01 |
| Ca | < 0,05 | Sn | < 0,01 |
| Ti | < 0,005 | Sb | < 0,01 |
| V | < 0,001 | W | < 0,05 |
| Cr | < 0,05 | Te | < 0,01 |
| Mn | < 0,005 | Pb | < 0,01 |
| Fe | < 0,05 | Bi | < 0,05 |
| Ni | < 0,01 |
|
