Κάλυμμα γραφίτη με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC).

Σύντομη περιγραφή:

Η επίστρωση καρβιδίου του τανταλίου είναι μια προηγμένη τεχνολογία επικάλυψης επιφανειών που χρησιμοποιεί υλικό καρβιδίου τανταλίου για να σχηματίσει ένα σκληρό, ανθεκτικό στη φθορά και ανθεκτικό στη διάβρωση προστατευτικό στρώμα στην επιφάνεια του υποστρώματος. Αυτή η επίστρωση έχει εξαιρετικές ιδιότητες που αυξάνουν σημαντικά τη σκληρότητα του υλικού, την αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες και τη χημική αντοχή, ενώ μειώνουν την τριβή και τη φθορά. Οι επικαλύψεις καρβιδίου του τανταλίου χρησιμοποιούνται ευρέως σε διάφορους τομείς, συμπεριλαμβανομένης της βιομηχανικής κατασκευής, της αεροδιαστημικής, της μηχανικής αυτοκινήτων και του ιατρικού εξοπλισμού, για να παρατείνουν τη διάρκεια ζωής του υλικού, να βελτιώσουν την απόδοση παραγωγής και να μειώσουν το κόστος συντήρησης. Είτε προστατεύουν τις μεταλλικές επιφάνειες από τη διάβρωση είτε ενισχύουν την αντοχή στη φθορά και την αντίσταση στην οξείδωση των μηχανικών μερών, οι επικαλύψεις καρβιδίου του τανταλίου παρέχουν μια αξιόπιστη λύση για μια ποικιλία εφαρμογών.


Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Η Semicera παρέχει εξειδικευμένες επικαλύψεις καρβιδίου του τανταλίου (TaC) για διάφορα εξαρτήματα και φορείς.Η κορυφαία διαδικασία επίστρωσης Semicera επιτρέπει στις επικαλύψεις καρβιδίου τανταλίου (TaC) να επιτυγχάνουν υψηλή καθαρότητα, σταθερότητα υψηλής θερμοκρασίας και υψηλή χημική ανοχή, βελτιώνοντας την ποιότητα του προϊόντος των κρυστάλλων SIC/GAN και των στρωμάτων EPI (Υποδοχέας TaC με επικάλυψη γραφίτη), και την παράταση της διάρκειας ζωής των βασικών εξαρτημάτων του αντιδραστήρα. Η χρήση της επίστρωσης TaC καρβιδίου του τανταλίου είναι η επίλυση του προβλήματος των άκρων και η βελτίωση της ποιότητας της ανάπτυξης κρυστάλλων, και η Semicera Semicera έχει μια σημαντική ανακάλυψη επίλυσης της τεχνολογίας επίστρωσης καρβιδίου του τανταλίου (CVD), φτάνοντας στο διεθνές προηγμένο επίπεδο.

 

Μετά από χρόνια ανάπτυξης, η Semicera έχει κατακτήσει την τεχνολογία τηςCVD TaCμε τις κοινές προσπάθειες του τμήματος Ε&Α. Τα ελαττώματα είναι εύκολο να εμφανιστούν στη διαδικασία ανάπτυξης των πλακών SiC, αλλά μετά τη χρήσηTaC, η διαφορά είναι σημαντική. Παρακάτω είναι μια σύγκριση γκοφρετών με και χωρίς TaC, καθώς και εξαρτημάτων Simicera για ανάπτυξη μονού κρυστάλλου

微信图片_20240227150045

με και χωρίς TaC

微信图片_20240227150053

Μετά τη χρήση του TaC (δεξιά)

Επιπλέον, η διάρκεια ζωής των προϊόντων επίστρωσης TaC της Semicera είναι μεγαλύτερη και πιο ανθεκτική στις υψηλές θερμοκρασίες από αυτή της επίστρωσης SiC. Μετά από μεγάλο χρονικό διάστημα δεδομένων εργαστηριακών μετρήσεων, το TaC μας μπορεί να λειτουργήσει για μεγάλο χρονικό διάστημα στους 2300 βαθμούς Κελσίου το πολύ. Τα παρακάτω είναι μερικά από τα δείγματά μας:

微信截图_20240227145010

(α) Σχηματικό διάγραμμα της συσκευής καλλιέργειας πλινθωμάτων μονού κρυστάλλου SiC με τη μέθοδο PVT (β) Στήριγμα σπόρων με επικάλυψη Top TaC (συμπεριλαμβανομένου του σπόρου SiC) (γ) δακτύλιος οδηγός γραφίτη επικαλυμμένο με TAC

ZDFVzCFV
Κύριο χαρακτηριστικό
Χώρος εργασίας Semicera
Χώρος εργασίας Semicera 2
Μηχάνημα εξοπλισμού
Επεξεργασία CNN, χημικός καθαρισμός, επίστρωση CVD
Η υπηρεσία μας

  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος: