Βαρέλι επιταξιακού αντιδραστήρα με επίστρωση SiC υψηλής θερμοκρασίας

Επιλεγμένη εικόνα κάννης επιταξικού αντιδραστήρα με επίστρωση SiC υψηλής θερμοκρασίας

Σύντομη περιγραφή:

Η Semicera προσφέρει μια ολοκληρωμένη σειρά υποδοχέων και εξαρτημάτων γραφίτη που έχουν σχεδιαστεί για διάφορους αντιδραστήρες επιταξίας.

Μέσω στρατηγικών συνεργασιών με κορυφαίους OEM του κλάδου, εκτεταμένης τεχνογνωσίας σε υλικά και προηγμένων κατασκευαστικών δυνατοτήτων, η Semicera παρέχει προσαρμοσμένα σχέδια για να ανταποκρίνονται στις συγκεκριμένες απαιτήσεις της εφαρμογής σας. Η δέσμευσή μας για αριστεία διασφαλίζει ότι λαμβάνετε βέλτιστες λύσεις για τις ανάγκες σας στον αντιδραστήρα επιταξίας.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Η εταιρεία μας παρέχειΕπικάλυψη SiCυπηρεσίες επεξεργασίας στην επιφάνεια γραφίτη, κεραμικών και άλλων υλικών με τη μέθοδο CVD, έτσι ώστε ειδικά αέρια που περιέχουν άνθρακα και πυρίτιο να μπορούν να αντιδράσουν σε υψηλή θερμοκρασία για να ληφθούν μόρια Sic υψηλής καθαρότητας, τα οποία μπορούν να εναποτεθούν στην επιφάνεια των επικαλυμμένων υλικών για να σχηματίσουνΠροστατευτικό στρώμα SiCγια επιταξία τύπου κάννης hy pnotic.

Κύρια χαρακτηριστικά:

1. Γραφίτης με επίστρωση SiC υψηλής καθαρότητας

2. Ανώτερη αντοχή στη θερμότητα & θερμική ομοιομορφία

3. ΩραίαΕπικαλυμμένο με κρύσταλλο SiCγια λεία επιφάνεια

4. Υψηλή αντοχή έναντι του χημικού καθαρισμού

Βαρέλι επιταξιακού αντιδραστήρα με επίστρωση SiC υψηλής θερμοκρασίας

Βασικές προδιαγραφές τουΕπικάλυψη CVD-SIC

Ιδιότητες SiC-CVD
Κρυσταλλική Δομή	FCC β φάση
Πυκνότητα	g/cm ³	3.21
Σκληρότητα	Σκληρότητα Vickers	2500
Μέγεθος κόκκου	μm	2~10
Χημική Καθαρότητα	%	99,99995
Θερμοχωρητικότητα	J·kg-1·K-1	640
Θερμοκρασία εξάχνωσης	℃	2700
Καμπτική δύναμη	MPa (RT 4 σημείων)	415
Το Modulus του Young	Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃)	430
Θερμική Διαστολή (CTE)	10-6K-1	4.5
Θερμική αγωγιμότητα	(W/mK)	300