Αγώγιμο υπόστρωμα SiC τύπου n 8 ιντσών

Σύντομη περιγραφή:

Το υπόστρωμα SiC τύπου n 8 ιντσών είναι ένα προηγμένο μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου τύπου n (SiC) με διάμετρο που κυμαίνεται από 195 έως 205 mm και πάχος που κυμαίνεται από 300 έως 650 μικρά. Αυτό το υπόστρωμα έχει υψηλή συγκέντρωση ντόπινγκ και προσεκτικά βελτιστοποιημένο προφίλ συγκέντρωσης, παρέχοντας εξαιρετική απόδοση για μια ποικιλία εφαρμογών ημιαγωγών.

 


Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Το αγώγιμο υπόστρωμα SiC τύπου n 8 lnch παρέχει απαράμιλλη απόδοση για ηλεκτρονικές συσκευές ισχύος, παρέχοντας εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα, υψηλή τάση διάσπασης και εξαιρετική ποιότητα για προηγμένες εφαρμογές ημιαγωγών. Η Semicera παρέχει κορυφαίες στον κλάδο λύσεις με το σχεδιασμένο αγώγιμο υπόστρωμα SiC τύπου n 8 lnch.

Το αγώγιμο υπόστρωμα SiC τύπου n 8 lnch της Semicera είναι ένα υλικό αιχμής που έχει σχεδιαστεί για να ανταποκρίνεται στις αυξανόμενες απαιτήσεις των ηλεκτρονικών ισχύος και των εφαρμογών ημιαγωγών υψηλής απόδοσης. Το υπόστρωμα συνδυάζει τα πλεονεκτήματα του καρβιδίου του πυριτίου και της αγωγιμότητας τύπου n για να προσφέρει απαράμιλλη απόδοση σε συσκευές που απαιτούν υψηλή πυκνότητα ισχύος, θερμική απόδοση και αξιοπιστία.

Το αγώγιμο υπόστρωμα SiC τύπου n 8 lnch της Semicera είναι προσεκτικά κατασκευασμένο για να εξασφαλίζει ανώτερη ποιότητα και συνέπεια. Διαθέτει εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα για αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας, καθιστώντας το ιδανικό για εφαρμογές υψηλής ισχύος, όπως μετατροπείς ισχύος, δίοδοι και τρανζίστορ. Επιπλέον, η υψηλή τάση διάσπασης αυτού του υποστρώματος διασφαλίζει ότι αντέχει σε απαιτητικές συνθήκες, παρέχοντας μια στιβαρή πλατφόρμα για ηλεκτρονικά υψηλής απόδοσης.

Η Semicera αναγνωρίζει τον κρίσιμο ρόλο που παίζει το αγώγιμο υπόστρωμα SiC τύπου n 8 lnch στην πρόοδο της τεχνολογίας ημιαγωγών. Τα υποστρώματά μας κατασκευάζονται χρησιμοποιώντας διαδικασίες αιχμής για την εξασφάλιση ελάχιστης πυκνότητας ελαττωμάτων, η οποία είναι κρίσιμη για την ανάπτυξη αποδοτικών συσκευών. Αυτή η προσοχή στη λεπτομέρεια επιτρέπει σε προϊόντα που υποστηρίζουν την παραγωγή ηλεκτρονικών επόμενης γενιάς με υψηλότερη απόδοση και ανθεκτικότητα.

Το αγώγιμο υπόστρωμα SiC τύπου n 8 lnch είναι επίσης σχεδιασμένο για να καλύπτει τις ανάγκες ενός ευρέος φάσματος εφαρμογών από την αυτοκινητοβιομηχανία έως τις ανανεώσιμες πηγές ενέργειας. Η αγωγιμότητα τύπου n παρέχει τις ηλεκτρικές ιδιότητες που απαιτούνται για την ανάπτυξη αποδοτικών συσκευών ισχύος, καθιστώντας αυτό το υπόστρωμα βασικό συστατικό για τη μετάβαση σε πιο ενεργειακά αποδοτικές τεχνολογίες.

Στη Semicera, δεσμευόμαστε να παρέχουμε υποστρώματα που οδηγούν την καινοτομία στην κατασκευή ημιαγωγών. Το αγώγιμο υπόστρωμα SiC τύπου n 8 lnch αποτελεί απόδειξη της αφοσίωσής μας στην ποιότητα και την αριστεία, διασφαλίζοντας ότι οι πελάτες μας λαμβάνουν το καλύτερο δυνατό υλικό για τις εφαρμογές τους.

Βασικές παράμετροι

Μέγεθος 8 ιντσών
Διάμετρος 200,0mm+0mm/-0,2mm
Επιφανειακός Προσανατολισμός εκτός άξονα:4° προς <1120>士0,5°
Προσανατολισμός εγκοπής <1100> πάνω από 1°
Γωνία εγκοπής 90°+5°/-1°
Βάθος εγκοπής 1mm+0,25mm/-0mm
Δευτερεύον Διαμέρισμα /
Πάχος 500,0 × 25,0um/350,0±25,0um
Πολύτυπος 4H
Αγώγιμος τύπος n-τύπου
8lnch n-τύπου sic Υπόστρωμα-2
Γκοφρέτες SiC

  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος: