Τα ημιμονωτικά πλινθώματα SiC 4”6” υψηλής καθαρότητας της Semicera έχουν σχεδιαστεί για να πληρούν τα απαιτητικά πρότυπα της βιομηχανίας ημιαγωγών. Αυτά τα πλινθώματα παράγονται με έμφαση στην καθαρότητα και τη συνέπεια, καθιστώντας τα ιδανική επιλογή για εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας όπου η απόδοση είναι πρωταρχικής σημασίας.
Οι μοναδικές ιδιότητες αυτών των πλινθωμάτων SiC, συμπεριλαμβανομένης της υψηλής θερμικής αγωγιμότητας και της εξαιρετικής ηλεκτρικής αντίστασης, τα καθιστούν ιδιαίτερα κατάλληλα για χρήση σε ηλεκτρονικά ηλεκτρικά και συσκευές μικροκυμάτων. Η ημιμονωτική τους φύση επιτρέπει την αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας και ελάχιστες ηλεκτρικές παρεμβολές, οδηγώντας σε πιο αποδοτικά και αξιόπιστα εξαρτήματα.
Η Semicera χρησιμοποιεί διαδικασίες κατασκευής αιχμής για την παραγωγή πλινθωμάτων με εξαιρετική ποιότητα κρυστάλλου και ομοιομορφία. Αυτή η ακρίβεια διασφαλίζει ότι κάθε ράβδος μπορεί να χρησιμοποιηθεί αξιόπιστα σε ευαίσθητες εφαρμογές, όπως ενισχυτές υψηλής συχνότητας, δίοδοι λέιζερ και άλλες οπτοηλεκτρονικές συσκευές.
Διαθέσιμα σε μεγέθη 4 ιντσών και 6 ιντσών, τα πλινθώματα SiC της Semicera παρέχουν την ευελιξία που απαιτείται για διάφορες κλίμακες παραγωγής και τεχνολογικές απαιτήσεις. Είτε πρόκειται για έρευνα και ανάπτυξη είτε για μαζική παραγωγή, αυτά τα πλινθώματα προσφέρουν την απόδοση και την ανθεκτικότητα που απαιτούν τα σύγχρονα ηλεκτρονικά συστήματα.
Επιλέγοντας τα ημιμονωτικά πλινθώματα SiC υψηλής καθαρότητας της Semicera, επενδύετε σε ένα προϊόν που συνδυάζει την προηγμένη επιστήμη των υλικών με την απαράμιλλη τεχνογνωσία στην κατασκευή. Η Semicera είναι αφιερωμένη στην υποστήριξη της καινοτομίας και της ανάπτυξης της βιομηχανίας ημιαγωγών, προσφέροντας υλικά που επιτρέπουν την ανάπτυξη ηλεκτρονικών συσκευών αιχμής.
| Είδη | Παραγωγή | Ερευνα | Ανδρείκελο |
| Παράμετροι Κρυστάλλων | |||
| Πολύτυπος | 4H | ||
| Σφάλμα προσανατολισμού επιφάνειας | <11-20 >4±0,15° | ||
| Ηλεκτρικές Παράμετροι | |||
| Dopant | Άζωτο n τύπου | ||
| Αντίσταση | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Μηχανικές Παράμετροι | |||
| Διάμετρος | 150,0±0,2 χλστ | ||
| Πάχος | 350±25 μm | ||
| Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός | [1-100]±5° | ||
| Πρωτεύον επίπεδο μήκος | 47,5±1,5 χλστ | ||
| Δευτερεύον διαμέρισμα | Κανένας | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Τόξο | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Στημόνι | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Μπροστινή (Si-face) τραχύτητα (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Δομή | |||
| Πυκνότητα μικροσωλήνων | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Ακαθαρσίες μετάλλων | ≤5E10άτομα/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ποιότητα εμπρός | |||
| Εμπρός | Si | ||
| Φινίρισμα επιφάνειας | Si-face CMP | ||
| Σωματίδια | ≤60ea/γκοφρέτα (μέγεθος≥0,3μm) | NA | |
| Γρατσουνιές | ≤5ea/mm. Αθροιστικό μήκος ≤Διάμετρος | Αθροιστικό μήκος≤2*Διάμετρος | NA |
| Φλούδα πορτοκαλιού/κουκούτσια/λεκέδες/ραβδώσεις/ ρωγμές/μόλυνση | Κανένας | NA | |
| Τσιπ άκρων/εσοχές/θραύσεις/εξάγωνες πλάκες | Κανένας | ||
| Πολυτυπικές περιοχές | Κανένας | Σωρευτική περιοχή≤20% | Σωρευτική περιοχή≤30% |
| Μπροστινή σήμανση λέιζερ | Κανένας | ||
| Πίσω Ποιότητα | |||
| Πίσω φινίρισμα | CMP προσώπου C | ||
| Γρατσουνιές | ≤5ea/mm,Σωρευτικό μήκος≤2*Διάμετρος | NA | |
| Ελαττώματα πλάτης (τσιπ άκρων/εσοχές) | Κανένας | ||
| Τραχύτητα πλάτης | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Πίσω σήμανση λέιζερ | 1 mm (από την επάνω άκρη) | ||
| Ακρη | |||
| Ακρη | Λοξότμηση | ||
| Συσκευασία | |||
| Συσκευασία | Epi-ready με συσκευασία κενού αέρος Συσκευασία κασέτα πολλαπλών γκοφρετών | ||
| *Σημειώσεις: "NA" σημαίνει κανένα αίτημα Τα στοιχεία που δεν αναφέρονται ενδέχεται να αναφέρονται σε SEMI-STD. | |||
