Τα γυαλισμένα υποστρώματα γκοφρέτας διπλής όψης SiC 4 ιντσών υψηλής καθαρότητας (HPSI) της Semicera είναι κατασκευασμένα για να ανταποκρίνονται στις απαιτητικές απαιτήσεις της βιομηχανίας ημιαγωγών. Αυτά τα υποστρώματα έχουν σχεδιαστεί με εξαιρετική επιπεδότητα και καθαρότητα, προσφέροντας τη βέλτιστη πλατφόρμα για ηλεκτρονικές συσκευές αιχμής.
Αυτές οι γκοφρέτες HPSI SiC διακρίνονται για την ανώτερη θερμική αγωγιμότητα και τις ιδιότητες ηλεκτρικής τους μόνωσης, καθιστώντας τις εξαιρετική επιλογή για εφαρμογές υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος. Η διαδικασία γυαλίσματος διπλής όψης εξασφαλίζει ελάχιστη τραχύτητα επιφάνειας, η οποία είναι ζωτικής σημασίας για τη βελτίωση της απόδοσης και της μακροζωίας της συσκευής.
Η υψηλή καθαρότητα των γκοφρετών SiC της Semicera ελαχιστοποιεί τα ελαττώματα και τις ακαθαρσίες, οδηγώντας σε υψηλότερους ρυθμούς απόδοσης και αξιοπιστία της συσκευής. Αυτά τα υποστρώματα είναι κατάλληλα για ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών, συμπεριλαμβανομένων συσκευών μικροκυμάτων, ηλεκτρονικών ισχύος και τεχνολογιών LED, όπου η ακρίβεια και η ανθεκτικότητα είναι απαραίτητες.
Με έμφαση στην καινοτομία και την ποιότητα, η Semicera χρησιμοποιεί προηγμένες τεχνικές κατασκευής για την παραγωγή γκοφρετών που πληρούν τις αυστηρές απαιτήσεις των σύγχρονων ηλεκτρονικών. Το γυάλισμα διπλής όψης όχι μόνο βελτιώνει τη μηχανική αντοχή αλλά και διευκολύνει την καλύτερη ενσωμάτωση με άλλα υλικά ημιαγωγών.
Επιλέγοντας τα ημιμονωτικά υποστρώματα γκοφρέτας διπλής όψης HPSI SiC υψηλής καθαρότητας 4 ιντσών της Semicera, οι κατασκευαστές μπορούν να αξιοποιήσουν τα πλεονεκτήματα της βελτιωμένης θερμικής διαχείρισης και της ηλεκτρικής μόνωσης, ανοίγοντας το δρόμο για την ανάπτυξη πιο αποτελεσματικών και ισχυρών ηλεκτρονικών συσκευών. Η Semicera συνεχίζει να ηγείται του κλάδου με τη δέσμευσή της στην ποιότητα και την τεχνολογική πρόοδο.
| Είδη | Παραγωγή | Ερευνα | Ανδρείκελο |
| Παράμετροι Κρυστάλλων | |||
| Πολύτυπος | 4H | ||
| Σφάλμα προσανατολισμού επιφάνειας | <11-20 >4±0,15° | ||
| Ηλεκτρικές Παράμετροι | |||
| Dopant | Άζωτο n τύπου | ||
| Αντίσταση | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Μηχανικές Παράμετροι | |||
| Διάμετρος | 150,0±0,2 χλστ | ||
| Πάχος | 350±25 μm | ||
| Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός | [1-100]±5° | ||
| Πρωτεύον επίπεδο μήκος | 47,5±1,5 χλστ | ||
| Δευτερεύον διαμέρισμα | Κανένας | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Τόξο | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Στημόνι | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Μπροστινή (Si-face) τραχύτητα (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Δομή | |||
| Πυκνότητα μικροσωλήνων | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Ακαθαρσίες μετάλλων | ≤5E10άτομα/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ποιότητα εμπρός | |||
| Εμπρός | Si | ||
| Φινίρισμα επιφάνειας | Si-face CMP | ||
| Σωματίδια | ≤60ea/γκοφρέτα (μέγεθος≥0,3μm) | NA | |
| Γρατσουνιές | ≤5ea/mm. Αθροιστικό μήκος ≤Διάμετρος | Αθροιστικό μήκος≤2*Διάμετρος | NA |
| Φλούδα πορτοκαλιού/κουκούτσια/λεκέδες/ραβδώσεις/ ρωγμές/μόλυνση | Κανένας | NA | |
| Τσιπ άκρων/εσοχές/θραύσεις/εξάγωνες πλάκες | Κανένας | ||
| Πολυτυπικές περιοχές | Κανένας | Σωρευτική περιοχή≤20% | Σωρευτική περιοχή≤30% |
| Μπροστινή σήμανση λέιζερ | Κανένας | ||
| Πίσω Ποιότητα | |||
| Πίσω φινίρισμα | CMP προσώπου C | ||
| Γρατσουνιές | ≤5ea/mm,Σωρευτικό μήκος≤2*Διάμετρος | NA | |
| Ελαττώματα πλάτης (τσιπ άκρων/εσοχές) | Κανένας | ||
| Τραχύτητα πλάτης | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Πίσω σήμανση λέιζερ | 1 mm (από την επάνω άκρη) | ||
| Ακρη | |||
| Ακρη | Λοξότμηση | ||
| Συσκευασία | |||
| Συσκευασία | Epi-ready με συσκευασία κενού αέρος Συσκευασία κασέτα πολλαπλών γκοφρετών | ||
| *Σημειώσεις: "NA" σημαίνει κανένα αίτημα Τα στοιχεία που δεν αναφέρονται ενδέχεται να αναφέρονται σε SEMI-STD. | |||
