Το ημιμονωτικό υπόστρωμα SiC 4" 6" της Semicera είναι ένα υψηλής ποιότητας υλικό σχεδιασμένο για να ανταποκρίνεται στις αυστηρές απαιτήσεις των εφαρμογών ραδιοσυχνοτήτων και συσκευών ισχύος. Το υπόστρωμα συνδυάζει την εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα και την υψηλή τάση διάσπασης του καρβιδίου του πυριτίου με ημιμονωτικές ιδιότητες, καθιστώντας το ιδανική επιλογή για την ανάπτυξη προηγμένων συσκευών ημιαγωγών.
Το ημιμονωτικό υπόστρωμα SiC 4" 6" κατασκευάζεται προσεκτικά για να διασφαλίζει υλικό υψηλής καθαρότητας και σταθερή ημιμονωτική απόδοση. Αυτό διασφαλίζει ότι το υπόστρωμα παρέχει την απαραίτητη ηλεκτρική μόνωση σε συσκευές ραδιοσυχνοτήτων, όπως ενισχυτές και τρανζίστορ, ενώ παρέχει επίσης τη θερμική απόδοση που απαιτείται για εφαρμογές υψηλής ισχύος. Το αποτέλεσμα είναι ένα ευέλικτο υπόστρωμα που μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε ένα ευρύ φάσμα ηλεκτρονικών προϊόντων υψηλής απόδοσης.
Η Semicera αναγνωρίζει τη σημασία της παροχής αξιόπιστων υποστρωμάτων χωρίς ελαττώματα για κρίσιμες εφαρμογές ημιαγωγών. Το ημιμονωτικό μας υπόστρωμα SiC 4" 6" παράγεται χρησιμοποιώντας προηγμένες τεχνικές κατασκευής που ελαχιστοποιούν τα ελαττώματα των κρυστάλλων και βελτιώνουν την ομοιομορφία του υλικού. Αυτό επιτρέπει στο προϊόν να υποστηρίζει την κατασκευή συσκευών με βελτιωμένη απόδοση, σταθερότητα και διάρκεια ζωής.
Η δέσμευση της Semicera στην ποιότητα διασφαλίζει ότι το ημιμονωτικό υπόστρωμα SiC 4" 6" παρέχει αξιόπιστη και σταθερή απόδοση σε ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών. Είτε αναπτύσσετε συσκευές υψηλής συχνότητας είτε ενεργειακά αποδοτικές λύσεις ενέργειας, τα ημιμονωτικά υποστρώματα SiC μας παρέχουν τη βάση για την επιτυχία των ηλεκτρονικών επόμενης γενιάς.
Βασικές παράμετροι
| Μέγεθος | 6 ιντσών | 4 ιντσών |
| Διάμετρος | 150,0mm+0mm/-0,2mm | 100,0mm+0mm/-0,5mm |
| Επιφανειακός Προσανατολισμός | {0001}±0,2° | |
| Πρωτεύων Επίπεδος Προσανατολισμός | / | <1120>±5° |
| Δευτεροβάθμιος Επίπεδος Προσανατολισμός | / | Πρόσοψη πυριτίου προς τα επάνω: 90° CW από Prime flat士5° |
| Πρωτεύον επίπεδο μήκος | / | 32,5 mm έως 2,0 mm |
| Δευτερεύον Επίπεδο Μήκος | / | 18,0 mm προς 2,0 mm |
| Προσανατολισμός εγκοπής | <1100>±1,0° | / |
| Προσανατολισμός εγκοπής | 1,0mm+0,25mm/-0,00mm | / |
| Γωνία εγκοπής | 90°+5°/-1° | / |
| Πάχος | 500,0 um και 25,0 um | |
| Αγώγιμος τύπος | Ημιμονωτικό | |
Πληροφορίες για την ποιότητα των κρυστάλλων
| λ | 6 ιντσών | 4 ιντσών |
| Αντίσταση | ≥1E9Q·cm | |
| Πολύτυπος | Κανένα δεν επιτρέπεται | |
| Πυκνότητα μικροσωλήνων | ≤0,5/cm2 | ≤0,3/cm2 |
| Εξάγωνες πλάκες από φως υψηλής έντασης | Κανένα δεν επιτρέπεται | |
| Οπτικά εγκλείσματα άνθρακα κατά υψηλό | Σωρευτική επιφάνεια≤0,05% | |
Ανθεκτικότητα - Δοκιμασμένο με αντίσταση φύλλου χωρίς επαφή.
Πυκνότητα μικροσωλήνων
