Τα πλινθώματα SiC τύπου N 4", 6" και 8" της Semicera αντιπροσωπεύουν μια σημαντική ανακάλυψη στα υλικά ημιαγωγών, σχεδιασμένα για να ανταποκρίνονται στις αυξανόμενες απαιτήσεις των σύγχρονων ηλεκτρονικών συστημάτων και συστημάτων ισχύος. Αυτά τα πλινθώματα παρέχουν μια ισχυρή και σταθερή βάση για διάφορες εφαρμογές ημιαγωγών, διασφαλίζοντας τη βέλτιστη απόδοση και μακροζωία.
Τα πλινθώματα SiC τύπου N παράγονται χρησιμοποιώντας προηγμένες διαδικασίες παραγωγής που ενισχύουν την ηλεκτρική αγωγιμότητα και τη θερμική τους σταθερότητα. Αυτό τα καθιστά ιδανικά για εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας, όπως μετατροπείς, τρανζίστορ και άλλες ηλεκτρονικές συσκευές ισχύος όπου η απόδοση και η αξιοπιστία είναι πρωταρχικής σημασίας.
Το ακριβές ντόπινγκ αυτών των πλινθωμάτων διασφαλίζει ότι προσφέρουν σταθερή και επαναλαμβανόμενη απόδοση. Αυτή η συνέπεια είναι κρίσιμη για τους προγραμματιστές και τους κατασκευαστές που πιέζουν τα όρια της τεχνολογίας σε τομείς όπως η αεροδιαστημική, η αυτοκινητοβιομηχανία και οι τηλεπικοινωνίες. Τα πλινθώματα SiC της Semicera επιτρέπουν την παραγωγή συσκευών που λειτουργούν αποτελεσματικά κάτω από ακραίες συνθήκες.
Η επιλογή των πλινθωμάτων SiC τύπου N της Semicera σημαίνει ενσωμάτωση υλικών που μπορούν να χειριστούν υψηλές θερμοκρασίες και υψηλά ηλεκτρικά φορτία με ευκολία. Αυτά τα πλινθώματα είναι ιδιαίτερα κατάλληλα για τη δημιουργία εξαρτημάτων που απαιτούν εξαιρετική θερμική διαχείριση και λειτουργία υψηλής συχνότητας, όπως ενισχυτές ραδιοσυχνοτήτων και μονάδες ισχύος.
Επιλέγοντας τα πλινθώματα SiC τύπου N 4", 6" και 8" της Semicera, επενδύετε σε ένα προϊόν που συνδυάζει εξαιρετικές ιδιότητες υλικού με την ακρίβεια και την αξιοπιστία που απαιτούν οι τεχνολογίες ημιαγωγών αιχμής. Η Semicera συνεχίζει να ηγείται της βιομηχανίας παρέχοντας καινοτόμες λύσεις που οδηγούν στην πρόοδο της κατασκευής ηλεκτρονικών συσκευών.
| Είδη | Παραγωγή | Ερευνα | Ανδρείκελο |
| Παράμετροι Κρυστάλλων | |||
| Πολύτυπος | 4H | ||
| Σφάλμα προσανατολισμού επιφάνειας | <11-20 >4±0,15° | ||
| Ηλεκτρικές Παράμετροι | |||
| Dopant | Άζωτο n τύπου | ||
| Αντίσταση | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Μηχανικές Παράμετροι | |||
| Διάμετρος | 150,0±0,2 χλστ | ||
| Πάχος | 350±25 μm | ||
| Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός | [1-100]±5° | ||
| Πρωτεύον επίπεδο μήκος | 47,5±1,5 χλστ | ||
| Δευτερεύον διαμέρισμα | Κανένας | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Τόξο | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Στημόνι | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Μπροστινή (Si-face) τραχύτητα (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Δομή | |||
| Πυκνότητα μικροσωλήνων | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Ακαθαρσίες μετάλλων | ≤5E10άτομα/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ποιότητα εμπρός | |||
| Εμπρός | Si | ||
| Φινίρισμα επιφάνειας | Si-face CMP | ||
| Σωματίδια | ≤60ea/γκοφρέτα (μέγεθος≥0,3μm) | NA | |
| Γρατσουνιές | ≤5ea/mm. Αθροιστικό μήκος ≤Διάμετρος | Αθροιστικό μήκος≤2*Διάμετρος | NA |
| Φλούδα πορτοκαλιού/κουκούτσια/λεκέδες/ραβδώσεις/ ρωγμές/μόλυνση | Κανένας | NA | |
| Τσιπ άκρων/εσοχές/θραύσεις/εξάγωνες πλάκες | Κανένας | ||
| Πολυτυπικές περιοχές | Κανένας | Σωρευτική περιοχή≤20% | Σωρευτική περιοχή≤30% |
| Μπροστινή σήμανση λέιζερ | Κανένας | ||
| Πίσω Ποιότητα | |||
| Πίσω φινίρισμα | CMP προσώπου C | ||
| Γρατσουνιές | ≤5ea/mm,Σωρευτικό μήκος≤2*Διάμετρος | NA | |
| Ελαττώματα πλάτης (τσιπ άκρων/εσοχές) | Κανένας | ||
| Τραχύτητα πλάτης | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Πίσω σήμανση λέιζερ | 1 mm (από την επάνω άκρη) | ||
| Ακρη | |||
| Ακρη | Λοξότμηση | ||
| Συσκευασία | |||
| Συσκευασία | Epi-ready με συσκευασία κενού αέρος Συσκευασία κασέτα πολλαπλών γκοφρετών | ||
| *Σημειώσεις: "NA" σημαίνει κανένα αίτημα Τα στοιχεία που δεν αναφέρονται ενδέχεται να αναφέρονται σε SEMI-STD. | |||
