Το μονοκρύσταλλο υλικό καρβιδίου του πυριτίου (SiC) έχει μεγάλο πλάτος διάκενου ζώνης (~Si 3 φορές), υψηλή θερμική αγωγιμότητα (~Si 3,3 φορές ή GaAs 10 φορές), υψηλό ρυθμό μετανάστευσης κορεσμού ηλεκτρονίων (~Si 2,5 φορές), υψηλή ηλεκτρική διάσπαση πεδίου (~Si 10 φορές ή GaAs 5 φορές) και άλλα εξαιρετικά χαρακτηριστικά.
Τα υλικά ημιαγωγών τρίτης γενιάς περιλαμβάνουν κυρίως SiC, GaN, διαμάντι κ.λπ., επειδή το πλάτος του διακένου ζώνης (π.χ.) είναι μεγαλύτερο ή ίσο με 2,3 ηλεκτρονιοβολτ (eV), γνωστά και ως υλικά ημιαγωγών ευρείας ζώνης. Σε σύγκριση με τα υλικά ημιαγωγών πρώτης και δεύτερης γενιάς, τα υλικά ημιαγωγών τρίτης γενιάς έχουν τα πλεονεκτήματα της υψηλής θερμικής αγωγιμότητας, του ηλεκτρικού πεδίου υψηλής διάσπασης, του υψηλού ποσοστού μετανάστευσης κορεσμένων ηλεκτρονίων και της υψηλής ενέργειας σύνδεσης, τα οποία μπορούν να ανταποκριθούν στις νέες απαιτήσεις της σύγχρονης ηλεκτρονικής τεχνολογίας για υψηλή θερμοκρασία, υψηλή ισχύς, υψηλή πίεση, υψηλή συχνότητα και αντίσταση ακτινοβολίας και άλλες σκληρές συνθήκες. Έχει σημαντικές προοπτικές εφαρμογής στους τομείς της εθνικής άμυνας, της αεροπορίας, της αεροδιαστημικής, της εξερεύνησης πετρελαίου, της οπτικής αποθήκευσης κ.λπ., και μπορεί να μειώσει την απώλεια ενέργειας κατά περισσότερο από 50% σε πολλές στρατηγικές βιομηχανίες όπως οι ευρυζωνικές επικοινωνίες, η ηλιακή ενέργεια, η αυτοκινητοβιομηχανία, φωτισμός ημιαγωγών και έξυπνο πλέγμα και μπορεί να μειώσει τον όγκο του εξοπλισμού κατά περισσότερο από 75%, κάτι που είναι ορόσημο για την ανάπτυξη της ανθρώπινης επιστήμης και τεχνολογίας.
Η ενέργεια Semicera μπορεί να παρέχει στους πελάτες υψηλής ποιότητας υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου αγώγιμο (αγώγιμο), ημιμονωτικό (ημιμονωτικό), HPSI (ημιμονωτικό υψηλής καθαρότητας). Επιπλέον, μπορούμε να παρέχουμε στους πελάτες ομοιογενή και ετερογενή επιταξιακά φύλλα καρβιδίου του πυριτίου. Μπορούμε επίσης να προσαρμόσουμε το επιταξιακό φύλλο σύμφωνα με τις συγκεκριμένες ανάγκες των πελατών και δεν υπάρχει ελάχιστη ποσότητα παραγγελίας.
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΓΚΟΦΡΟΛΙΑΣ
*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό
| Είδος | 8-ιντσών | 6-ιντσών | 4-ιντσών | ||
| nP | n-Mm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6 μ | ≤6 μ | |||
| Bow(GF3YFCD)-Απόλυτη τιμή | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Γκοφρέτα Edge | Λοξοτομή | ||||
ΦΙΝΙΡΙΣΜΑ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΣ
*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό
| Είδος | 8-ιντσών | 6-ιντσών | 4-ιντσών | ||
| nP | n-Mm | n-Ps | SI | SI | |
| Φινίρισμα επιφάνειας | Διπλής όψης Optical Polish, Si- Face CMP | ||||
| Επιφανειακή τραχύτητα | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm C-Face Ra≤ 0,5nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm C-Face Ra≤0,5nm | |||
| Τσιπς άκρων | Δεν επιτρέπεται (μήκος και πλάτος≥0,5mm) | ||||
| Εσοχές | Δεν επιτρέπεται | ||||
| Γρατσουνιές (Si-Face) | Ποσ.≤5,Σωρευτικό Μήκος≤0,5×διάμετρος γκοφρέτας | Ποσ.≤5,Σωρευτικό Μήκος≤0,5×διάμετρος γκοφρέτας | Ποσ.≤5,Σωρευτικό Μήκος≤0,5×διάμετρος γκοφρέτας | ||
| Ρωγμές | Δεν επιτρέπεται | ||||
| Εξαίρεση άκρων | 3 χιλιοστά | ||||
