Υπόστρωμα 4H-SiC τύπου P 2~6 ιντσών 4° εκτός γωνίας

2~6 ίντσες 4° εκτός γωνίας υπόστρωμα τύπου P 4H-SiC Επιλεγμένη εικόνα

Σύντομη περιγραφή:

Το υπόστρωμα τύπου P 4° εκτός γωνίας Το υπόστρωμα 4H-SiC είναι ένα συγκεκριμένο υλικό ημιαγωγών, όπου η "εκτός γωνίας 4°" αναφέρεται στη γωνία προσανατολισμού των κρυστάλλων της γκοφρέτας που είναι 4 μοίρες εκτός γωνίας και ο "τύπος P" αναφέρεται σε τον τύπο αγωγιμότητας του ημιαγωγού. Αυτό το υλικό έχει σημαντικές εφαρμογές στη βιομηχανία ημιαγωγών, ειδικά στους τομείς των ηλεκτρονικών ισχύος και των ηλεκτρονικών υψηλών συχνοτήτων.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Τα υποστρώματα τύπου P 4H-SiC 2~6 ιντσών 4° εκτός γωνίας της Semicera έχουν σχεδιαστεί για να καλύπτουν τις αυξανόμενες ανάγκες των κατασκευαστών συσκευών υψηλής απόδοσης ισχύος και ραδιοσυχνοτήτων. Ο προσανατολισμός εκτός γωνίας 4° εξασφαλίζει βελτιστοποιημένη επιταξιακή ανάπτυξη, καθιστώντας αυτό το υπόστρωμα ιδανική βάση για μια σειρά συσκευών ημιαγωγών, συμπεριλαμβανομένων των MOSFET, IGBT και διόδων.

Αυτό το υπόστρωμα τύπου P 4H-SiC 2~6 ιντσών 4° εκτός γωνίας έχει εξαιρετικές ιδιότητες υλικού, όπως υψηλή θερμική αγωγιμότητα, εξαιρετική ηλεκτρική απόδοση και εξαιρετική μηχανική σταθερότητα. Ο προσανατολισμός εκτός γωνίας συμβάλλει στη μείωση της πυκνότητας των μικροσωλήνων και προωθεί πιο ομαλά επιταξιακά στρώματα, κάτι που είναι κρίσιμο για τη βελτίωση της απόδοσης και της αξιοπιστίας της τελικής συσκευής ημιαγωγών.

Τα υποστρώματα τύπου P 4H-SiC 2~6 ιντσών 4° εκτός γωνίας της Semicera είναι διαθέσιμα σε ποικιλία διαμέτρων, που κυμαίνονται από 2 ίντσες έως 6 ίντσες, για να ανταποκρίνονται στις διαφορετικές απαιτήσεις κατασκευής. Τα υποστρώματά μας είναι σχεδιασμένα με ακρίβεια για να παρέχουν ομοιόμορφα επίπεδα ντόπινγκ και χαρακτηριστικά επιφάνειας υψηλής ποιότητας, διασφαλίζοντας ότι κάθε γκοφρέτα πληροί τις αυστηρές προδιαγραφές που απαιτούνται για προηγμένες ηλεκτρονικές εφαρμογές.

Η δέσμευση της Semicera στην καινοτομία και την ποιότητα διασφαλίζει ότι τα υποστρώματα τύπου P 4H-SiC 2~6 ιντσών 4° εκτός γωνίας παρέχουν σταθερή απόδοση σε ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών, από ηλεκτρονικά ισχύος έως συσκευές υψηλής συχνότητας. Αυτό το προϊόν παρέχει μια αξιόπιστη λύση για την επόμενη γενιά ενεργειακά αποδοτικών ημιαγωγών υψηλής απόδοσης, υποστηρίζοντας τις τεχνολογικές εξελίξεις σε βιομηχανίες όπως η αυτοκινητοβιομηχανία, οι τηλεπικοινωνίες και οι ανανεώσιμες πηγές ενέργειας.

Πρότυπα που σχετίζονται με το μέγεθος

Μέγεθος	2-ιντσών	4-ιντσών
Διάμετρος	50,8 mm±0,38 mm	100,0 mm+0/-0,5 mm
Προσανατολισμός Επιφανείας	4° προς<11-20>±0,5°	4° προς<11-20>±0,5°
Πρωτεύον επίπεδο μήκος	16,0 mm±1,5 mm	32,5mm±2mm
Δευτερεύον Επίπεδο Μήκος	8,0 mm±1,5 mm	18,0 mm ± 2 mm
Πρωτεύων Επίπεδος Προσανατολισμός	Παράλληλα <11-20>±5,0°	Παράλληλα<11-20>±5,0γ
Δευτερεύων Επίπεδος Προσανατολισμός	90°CW από πρωτεύον ± 5,0°, όψη πυριτίου προς τα επάνω	90°CW από πρωτεύον ± 5,0°, όψη πυριτίου προς τα επάνω
Φινίρισμα επιφάνειας	C-Face: Optical Polish, Si-Face: CMP	C-Face:OpticalPolish, Si-Face: CMP
Γκοφρέτα Edge	Λοξοτομή	Λοξοτομή
Επιφανειακή τραχύτητα	Si-Face Ra<0,2 nm	Si-Face Ra<0,2nm
Πάχος	350,0±25,0 μμ	350,0±25,0 μμ
Πολύτυπος	4H	4H
Ντοπάρισμα	p-Type	p-Type

Πρότυπα που σχετίζονται με το μέγεθος

Μέγεθος	6-ιντσών
Διάμετρος	150,0 mm+0/-0,2 mm
Επιφανειακός Προσανατολισμός	4° προς<11-20>±0,5°
Πρωτεύον επίπεδο μήκος	47,5 mm ± 1,5 mm
Δευτερεύον Επίπεδο Μήκος	Κανένας
Πρωτεύων Επίπεδος Προσανατολισμός	Παράλληλη σε <11-20>±5,0°
Δευτεροβάθμιος Επίπεδος Προσανατολισμός	90°CW από πρωτεύον ± 5,0°, όψη πυριτίου προς τα επάνω
Φινίρισμα επιφάνειας	C-Face: Optical Polish, Si-Face:CMP
Γκοφρέτα Edge	Λοξοτομή
Επιφανειακή τραχύτητα	Si-Face Ra<0,2 nm
Πάχος	350,0±25,0μm
Πολύτυπος	4H
Ντοπάρισμα	p-Type